Deposition Compressive한 Wafer에 대한 질문
2023.06.03 11:56
현재 반도체회사에서 CVD 엔지니어로 근무중에 있습니다.
최근 CuSi 공정에서 지속적으로 Thickness에 문제가 발생하여 Wafer Map을 확인하게 되면 Compressive한 Map으로 관찰되고 있습니다.
Wafer를 Compressive하게 변화하게 만드는 source가 대부분 어떤게 있는지 알 수 있을까요? (Ex. AlF, Plasma, Temp ETC)
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [292] | 77372 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20517 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57434 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68981 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 93003 |
772 | 플라즈마 온도 | 27869 |
771 | DBD란 | 27796 |
770 | 플라즈마 상태와 RF MATCHING관계 문의 사항 | 27691 |
769 | 플라즈마 챔버 의 임피던스 관련 [2] | 27256 |
768 | 이온과 라디칼의 농도 | 27083 |
767 | self bias (rf 전압 강하) | 26809 |
766 | 공정챔버에서의 아킹 및 노이즈 문제... [2] | 26523 |
765 | OES 원리에 대해 궁금합니다! [1] | 26388 |
764 | dechucking시 Discharge 불량으로 Glass 깨짐 [3] | 26293 |
763 | 충돌단면적에 관하여 [2] | 26236 |
762 | 스퍼터 DC 파워의 High 임피던스가 무슨 의미인가요? | 25604 |
761 | PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [2] | 25004 |
760 | Reflrectance power가 너무 큽니다. [1] | 24934 |
759 | 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. | 24922 |
758 | plasma와 arc의 차이는? | 24922 |
757 | ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [1] | 24803 |
756 | RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [1] | 24793 |
755 | H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점... [1] | 24726 |
754 | 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. | 24669 |
753 | 플라즈마가 불안정한대요.. | 24540 |