ESC HE LEAK 과 접촉저항사이 관계
2024.05.27 14:24
안녕하세요 교수님
우선 늘 감사드립니다.
본 게시판을 통해 배운 내용을 통해 개선에 큰 도움이 되었습니다.
이번에 질문드리고자 하는내용은 'HE LEAK 에 의해 접촉저항이 어떻게 변할지' 입니다.
ICP TYPE의 설비에서 HE LEAK이 발생하면 temp 상승이 일어나고, 항상 ESC current 가 상승하는 방향으로 변화합니다.(절댓값 상승 후 일정하게 유지) Chucking voltage 는 일정하게 유지되고 있으므로 Current 변화는 접촉저항과 관계가 있어 보이는데,
여기서 이해가 안가는 부분은 He leak 이 있다면 왜 접촉저항이 낮아지는지 물리적으로 이해가 되지 않습니다.
접촉면적이 늘어난다는 것 일텐데, chucking force 가 강해지는 것 일까요?
의견 여쭙습니다.
감사합니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [283] | 77272 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20485 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57401 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68922 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92970 |
807 |
Wafer Capacitance 성분과 Vdc 관계 문의드립니다.
[1] ![]() | 18 |
806 |
Surface wave plasma 조건에 관해 질문드립니다.
[1] ![]() | 33 |
805 | Ion 입사각을 확인하는 방법 문의드립니다 [1] | 35 |
804 | C2H2 플라즈마코팅시 가스 원인과 대책 | 41 |
803 | Druyvesteyn Distribution | 50 |
802 | CCP Chamber 사용 중 Impedance 변화 원인 문의드립니다. [1] | 50 |
801 | DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [1] | 57 |
800 | 플라즈마 식각 커스핑 식각량 | 64 |
799 | 스터퍼링시 기판 온도 계산에 대해 질문드립니다! [1] | 66 |
798 | CVD 박막 Clean 중 Ar에 의한 Etch 여부가 궁금합니다. [1] | 70 |
797 | PECVD 실험을 하려고 하는데 조언 구합니다. | 81 |
796 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 82 |
795 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 89 |
794 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 89 |
793 | ICP Plasma etch chamber 구조가 궁금합니다. [1] | 91 |
792 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 92 |
791 | 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [1] | 94 |
790 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 103 |
» | HE LEAK 과 접촉저항사이 관계 [1] | 108 |
788 | 플라즈마 설비에 대한 질문 | 120 |