Sheath RF plasma에 대해서 질문드립니다.

2007.02.08 16:57

오흥룡 조회 수:20995 추천:332

안녕하세요
대학원에서 공부하고 있는 오흥룡이라고 합니다.
제가 plasma에서 공부하면서 궁금한 것을 물어보고자 합니다.

첫째, RF plasma에서 self bias된 정도를 계산하면서,
Brian chapman의 glow discharge process책에서는
양전극의 면적과 전극 근처의 sheath영역에서 potential drop간의 관계식을
Koenig-Maissel Model로 유도하고 있는데요.
이 모델의 가정을 보면, 양쪽 전극의 ion flux값이 동일하다는 가정을 놓습니다.
이 가정을 새울 수 있는 근거가 궁금하고, 어떤 상황에서(예를 들면, power가 많이 걸렸다, 전극의 면적의 차이가 크다.) 이러한 가정이 성립하지 않을 까요? 또 어떤 상황에서 이러한 가정이 실재상황과 근접하는 건지 궁금합니다.

두번째는 만약에 양쪽의 전극의 면적이 서로 다를 경우에 그 전극 근처의 plasma영역(sheath영역제외)에서 charged particle의 density는 어떻게 변할까 하는 문제입니다.
즉 예를 들어 한 전극의 면적이 약 1cm2이고 다른 전극의 면적이 100cm2이라면, 각 전극 근처의 plasma영역에서 charged particle의 수는 어떻게 다를까요?
제가 생각하기에는 plasma영역에서 전체면적을 흐르는 전류량은 일정하므로 그 전류량을 각 영역의 단면적으로 나누면 입자의 flux가 되기 때문에 단면적이 넓은 쪽은 charged particle의 밀도가 줄어들게 될 것 같은데요. 이게 맞는건가요? 아니면 다른 요인에 의해서 전극의 면적이 다를 때, 위치에 따라서 plasma density가 변할까요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [280] 77156
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20437
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57340
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68884
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92909
142 RPC CLEAN 시 THD 발생 [1] 648
141 주파수 변화와 Plasma 온도 연관성 [1] 645
140 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 639
139 Dusty Plasma의 진단에 관해서 질문드립니다. [1] file 638
138 챔버 시즈닝에 대한 플라즈마의 영향성 [1] 632
137 기판표면 번개모양 불량발생 [1] 627
136 RF Sputtering Target Issue [2] file 627
135 진공수준에 따른 RF plasma 영향 관련 질문 [1] file 625
134 Arcing 과 Self-DC Bias Voltage 상관 관계 [1] 623
133 OES 파장 관련하여 질문 드립니다. [1] 623
132 OES를 통한 공정 개선 사례가 있는지 궁금합니다. [1] 622
131 플라즈마 기본 사양 문의 [1] 618
130 Plasma Reflect를 관리하는 방법이 있을까요? [1] 616
129 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] 615
128 PECVD설비 Matcher 아킹 질문 [2] 604
127 Co-relation between RF Forward power and Vpp [1] 603
126 프리쉬스에 관한 질문입니다. [1] 603
125 CCP RIE 플라즈마 밀도 [1] 601
124 연속 Plasma시 예상되는 문제와 횟수를 제한할 경우의 판단 기준 [1] file 600
123 수중 속 저온 플라즈마 방전 관련 질문 드립니다 [2] file 599

Boards


XE Login