안녕하세요~

반도체 회사에 근무하는 엔지니어 입니다.

ICP Type의 장비를 다루는데 RF source가 Top(1.8MHz)/Side(2.0MHz)/Bias(13.56MHz)로 구성되어 있고,

Ar gas로 50mTorr의 압력으로 상승 시킨후에 Top RF부터 인가하게 됩니다. (Top의 Antenna 권선수 n= 4 , Side=2)

궁금한 점은 Top을 plasma ignition시 잘 켜지는데, Side부터 인가하게 되면 reflection이 input값만큼 뜨면서 ignition fault가 발생합니다.

TOP이 권선수가 많아 전자의 속도가 더 빨라서 그런것인가요??