ESC CVD CCP/ICP 사용간 Wafet Bias volt 줄어듬 현상 문의드려요
2017.09.21 20:04
반도체 종사하고 직장인 입니다
상기건으로 네이버 백방으로 검색하다가 우연찬게 가입을하고
약 4시간 가량 정말좋은 자료들 시간가는 줄 모르고 보게 되었습니다
저희 회사 UBM Etch 장비가 process 상 변경된 factor 는 없구요
최근 챔버 웨이퍼 RF Chuck 바로 밑에 Al plate 원판을 신규 가공품을 사용했구요
용도는 플라즈마를 가둬두는 용도 정도로 알고있고요
현상이 이전까지는 웨이퍼 바이어스 전압이 -180~-200V 의 컨디션 이였는데
최근 바이어스 전압 형성이 -110~-130v현저히 떨어졌습니다
공정은 CCP 500w ICP400w Ar 45sccm 입니다
현재 문제 focus 를 Al plate 로 보고있는데요
바이어스 전압이 기존대비 떨어질수있는 원인이
웨이퍼와 직접적 contact 되어지는 RF Chuck 의 문제인지
챔버 오염과도 영향성은 있는거 같고요....
순간 컨디션이 변경되어 참 난감한 상황입니다
테스트를 ICP Power 를 낮추어주면 바이어스값은 증가가 되구요
웨이퍼표면의 전자량이 동일조건 기존대비 줄어들수 있는 인자가 궁금합니다
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] | 77063 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20380 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57291 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68837 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92839 |
381 | N2 Plasma 상태에 대해서 질문 드립니다. [1] | 2295 |
380 | RF frequency와 다른 변수 상관관계 질문 | 2290 |
379 | etching에 관한 질문입니다. [1] | 2283 |
378 | ECR 플라즈마에 대해서 질문 드립니다. [1] | 2274 |
377 | 플라즈마볼 제작시 [1] | 2259 |
376 | 부도체를 타겟으로 한 플라즈마 형성 원리 [1] | 2255 |
375 | Etch 공정 Dummy 사용이유가 뭔지 알 수 있을까요? [1] | 2253 |
374 | 양극 코로나 방전에 대한 질문입니다. [1] | 2182 |
373 | 플라즈마 self bias 값과 압력, 파워의 상관관계에 대해 질문이 있습니다. [1] | 2154 |
372 | 플라즈마 관련 기초지식 [1] | 2152 |
371 | [질문] Plasma 장비에 대한 Monitoring 질문 [2] | 2141 |
370 | ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요?? [1] | 2124 |
369 | Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] | 2121 |
368 | LF Power에의한 Ion Bombardment [2] | 2108 |
367 | doping type에 따른 ER 차이 [1] | 2078 |
366 | RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [2] | 2042 |
365 | 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] | 2035 |
364 | 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] | 2030 |
363 | CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [1] | 2023 |
362 | chamber impedance [1] | 2022 |