Etch SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유
2017.11.10 16:45
SiO2 를 RPSC를 이용하여 NF3로 Cleaning을 진행하는 일을 하고 있습니다.
NF3 단독으로 사용하는 것보다 O2를 혼합시 더 잘되는것으로 논문에서 보고 하고 있는데요,
그 원리 및 Mechanism이 궁금합니다.
학자님들의 고견 부탁 드립니다.
댓글 1
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