Etch DRAM과 NAND에칭 공정의 차이

2018.08.06 11:06

베컴 조회 수:5499

안녕하십니까?


DRAM과 NAND에칭 공정의 차이가 궁금합니다.


공정에서 주입되는 가스의 종류와 전기적 즉 HF/LF VPP의 차이도 있는거 같습니다.

DRAM과 NAND의 소자구조와 기능은 알겠으나.....공정조건의 차이가 왜나는지가 궁금합니다.

막질이 다름으로 인해...사용되는가스가 다른건지요?

공정조건이 다른 가장 큰 이유가 궁금합니다.


확인부탁드립니다.


감사합니다. 수고십시오.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] 77055
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20376
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57289
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68834
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92833
441 염소발생 전기분해 시 스파크 발생에 관해 질문드립니다. [1] file 394
440 magnetic substrate와 플라즈마 거동 [3] 474
439 플라즈마 세라믹코팅후 붉은 이유는? 2340
438 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 1682
437 CCP 챔버 접지 질문드립니다. [1] file 1346
436 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2374
435 Gas 별 Plasma 색 관련 질문입니다. [1] 3515
434 RF magnetron sputtering시 플라즈마 off현상 [1] 691
433 RF Generator 주파주에 따른 Mathcer Vrms 변화. [1] 1211
432 플라즈마 self bias 값과 압력, 파워의 상관관계에 대해 질문이 있습니다. [1] 2154
431 산소 플라즈마에 대한 질문입니다... 494
430 수중 속 저온 플라즈마 방전 관련 질문 드립니다 [2] file 599
429 자기 거울에 관하여 1146
428 플라즈마 장치 관련 기초적 질문입니다. [1] 829
427 Descum 관련 문의 사항. [1] 3755
426 RPC CLEAN 시 THD 발생 [1] 646
425 Plasma Generator 관련해서요. [1] 913
424 Plasma 발생영역에 관한 질문 [2] 1461
423 glass에 air plasma 후 반응에 대해 질문이 있습니다. [1] 449
422 OES를 활용한 excitation temperature 분석 질문입니다. [1] 5942

Boards


XE Login