ESC ESC Cooling gas 관련

2019.02.21 19:22

jake88 조회 수:3575

Etch공정에서 ESC Cooling gas로 He을 주로 사용하는데 열전도도가 좋고 불활성가스라는 이유로 많이 사용되는것으로 알고있습니다

비교적 원가가 저렴한 N2가스를 사용하는 경우도 있을까요? 열전도도 반응성이 N2또한 괜찮은것으로 알고있는데 혹시 문제가 있을까요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] 77099
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20403
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57312
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68853
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92868
481 O2, N2, Ar 플라즈마에 대한 질문입니다. [2] 6297
480 자료 요청드립니다. [1] 6211
479 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 6110
478 코로나방전, 이온풍 관련 문의 드립니다. [1] file 6071
477 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 5971
476 안녕하세요. ICP 플라즈마의 임피던스를 측정하는 방법에 대해서 문의를 드립니다. [3] 5945
475 OES를 활용한 excitation temperature 분석 질문입니다. [1] 5942
474 RF calibration에 대해 질문드립니다. 5852
473 RF Vpp 관련하여 문의드립니다. [1] 5705
472 ESC Chuck 기능이 Wafer 위에서의 Chemical Bond 생성을 boosting 할 수 있는지 궁금합니다. [1] 5611
471 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5500
470 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5416
469 CCP 설비에서 Vdc, Vpp과 Power에 대해 문의드립니다. [1] file 5229
468 RF power에 대한 설명 요청드립니다. [1] 5204
467 매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [1] 5118
466 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] 4861
465 챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다. [3] 4567
464 ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할 4377
463 플라즈마 색 관찰 [1] 4332
462 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4324

Boards


XE Login