Deposition PECVD 증착에서 etching 관계

2019.03.20 09:00

음월 조회 수:1532

안녕하십니까? 현재 CVD 장비 회사에 재직중입니다.


다름이 아니라 PECVD 를 이용한 SiNx 증착 test 중, 두께가 쌓을수록 굴절률이 낮아지는 현상으로


많은 고뇌를 하고 있습니다.


SiNx 증착에 사용되는 GAS 는 SiH4, Ar, H2, NH3, N2 총 5가지 입니다.


원하는 시간에 target 두께의 막은 얻지만, 굴절률이 점점 감소합니다.

(plasma 노출시간에 길어지면 길어질수록 굴절률이 더더욱 감소합니다.)


쌓일수록 ETCHING 으로인해 박막이 porous 해질 수 있는지,


혹은 특별한 경우가 있는지 여쭙고자 질문드립니다.


이상입니다.

감사합니다.

, , , 이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] 77080
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20394
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57303
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68846
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92855
501 MFP에 대해서.. [1] 7833
500 플라즈마 쪽에 관심이 많은 고등학생입니다. [1] 7712
499 CCP에서 DIelectric(유전체)의 역활 [1] 7670
498 정전척 isolation 문의 입니다. [1] 7661
497 RF Generator와 Impedance 관련 질문있습니다 [2] 7298
496 ETCH 관련 RF MATCHING 중 REF 현상에 대한 질문입니다. [1] 7125
495 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 6752
494 저온 플라즈마에 관해서 [1] 6698
493 안녕하세요, 질문드립니다. [2] 6572
492 플라스마 상태에서도 보일-샤를 법칙이 적용 되나요? [1] 6541
491 플라즈마 건식식각 장비 부품 정전척 공정 진행 후 외각 He-hole 부위 burning 현상 매카니즘 문의.. [1] 6502
490 플라즈마 데미지에 관하여.. [1] 6501
489 저온플라즈마에 대하여 ..질문드립니다 ㅠ [1] 6475
488 O2 plasma, H2 plasma 처리 관련 질문이 있습니다. [1] 6458
487 O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] 6449
486 플라즈마 기술관련 문의 드립니다 [1] 6420
485 액체 안에서의 Dielectric Barrier Discharge에 관하여 질문드립니다! [1] 6410
484 공동형 플라즈마에서 구리 전극의 식각 문제 [2] 6370
483 Matcher의 Load, Tune 영향을 미치는 요소가 궁금합니다. [2] 6305
482 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 6301
쓰기
태그

Boards

XE Login