안녕하십니까 플라즈마 입문단계를 공부하고 있는 전기공학과 학생입니다.

다름이 아니라 공부를 하는 중에 플라즈마 소스 부분에 직류 글로우 방전에서 r-process 부분에서 2차 방출이 일어나는데

여기서 이차전자가 이온화를 잘시키는 것으로 알고 있습니다. 하지만 이온은 그에 비해 잘 시키지 못한것 같습니다

정리하자면 플라즈마에서 이온은 전자에 비해 중성종을 이온화시키기 어려운 이유가 무엇일까요?

기본적인 내용인데 많이 부족해서 모르겠습니다.

부탁드립니다!! 감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [280] 77139
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20425
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57335
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68873
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92897
382 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2928
381 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [1] 2971
380 RF matcher와 particle 관계 [2] 3014
379 Plasma etcher particle 원인 [1] 3038
378 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 3042
377 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 3067
376 아르곤이나 기타 플라즈마 토치에 소량의 수증기를 집어넣으면 온도가 떨어지는 현상에 대해서 3167
375 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 3181
374 CVD 공정에서의 self bias [1] 3190
373 matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [3] 3232
372 electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [2] 3261
371 Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다. [2] 3297
370 Etcher Chamber Wall에 의도적으로 Polymer를 증착시키고 싶습니다. [2] 3341
369 PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [1] 3341
368 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3369
367 RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다. [2] 3413
366 코로나 방전의 속도에 관하여... [1] 3450
365 RF plasma 증착 시 arcing 관련하여 질문드립니다. [1] 3458
364 plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] 3464
363 Bias 관련 질문 드립니다. [1] 3478

Boards


XE Login