Etch [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련]
2021.05.20 17:05
안녕하세요? 반도체 회사 연구원입니다.
반도체 Etching 공정관련 한 가지 궁금한 사항 문의드리고자 질문올립니다.
Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring 소재의 유전율과 체적저항이 챔버 내 Plasma 형성에 영향을 미치는지 궁금합니다.
(최근에는 CVD SiC Ring을 많이 활용하고 있습니다.)
예를들어, 유전상수와 체적저항이 ~할수록 Plasma가 생정되는 정도와 분포가 어떤식으로 변화할까요?
조금은 포괄적인 질문이라 답변이 어려울수도있겠습니다.
감사합니다. 교수님.
댓글 3
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [282] | 77195 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20458 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57358 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68897 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92941 |
| 625 | ESC Dechuck과 관련하여 궁금한점이 있어 문의를 드립니다. [1] | 14904 |
| 624 | CVD 막질의 성질에 대해 질문드립니다. [1] | 1368 |
| 623 | 전자 온도에 대한 질문이 있습니다. [1] | 1027 |
| 622 | RF 전류가 흐르는 Shower head를 TC로 온도 측정 할 때 [1] | 885 |
| 621 | CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [1] | 2328 |
| 620 | 데포 중 RF VDC DROP 현상 [1] | 1545 |
| 619 | OES 분석 관련해서 질문드립니다. [1] | 1439 |
| 618 | CF3의 wavelength가 궁금해서 질문드립니다. [1] | 723 |
| 617 | anode sheath 질문드립니다. [1] | 1027 |
| 616 | 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다. [1] | 741 |
| 615 | 플라즈마를 통한 정전기 제거관련. [1] | 735 |
| 614 | RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. | 1481 |
| 613 | CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [1] | 2039 |
| 612 | 라디컬의 재결합 방지 [1] | 822 |
| 611 | LF Power에의한 Ion Bombardment [2] | 2136 |
| 610 | PECVD와 RIE의 경계에 대해 [1] | 1504 |
| 609 |
전자 온도 구하기
[1]  | 1175 |
| 608 | 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] | 327 |
| 607 | CVD 공정에서의 self bias [1] | 3204 |
| 606 | PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [1] | 3345 |