CCP CCP에서 접지된 전극에 기판을 놓았을 때 반응
2021.05.24 15:35
안녕하십니까 교수님. 반도체 장비회사에서 공정개발 직무를 담당하고 있는 엔지니어 입니다.
다름이 아니라 플라즈마 식각기술 책을 읽는 와중에 궁금한 점이 생겨 이렇게 질문을 남깁니다.
책에서 접지된 전극에 기판을 놓을 경우 Radical에 의한 반응이 반응성 이온의 영향보다 크게 되고,
고주파 전극에 기판을 놓게 되면 반대로 되어 이방성이 커진다고 하는데
집지된 전극에 기판을 놓을 경우 왜 Radical 반응이 주가 되는 건가요?
접지라는 것이 이 구조에서 어떻게 영향을 끼치는 것인지 궁금합니다.
항상 많이 배우고 있습니다.
감사합니다
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [282] | 77208 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20465 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57361 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68900 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92946 |
626 | OES를 이용한 Gas Species 정량적 분석 방법 [1] | 799 |
625 | Collisional mean free path 문의... [1] | 805 |
624 | 플라즈마 충격파 질문 [1] | 812 |
623 | Si Wafer에 Plasma를 처리했을때 정전기 발생 [1] | 817 |
622 | 방전수 활성종 중 과산화수소 측정에 관련하여 질문드립니다. [1] | 818 |
621 | DBD Plasma Actuator 원리에 대한 질문입니다. [1] | 821 |
620 | 라디컬의 재결합 방지 [1] | 822 |
619 | ECR ion source에서 plasma가 켜지면 RF reflect가 심해집니다. [2] | 828 |
618 | 플라즈마 장치 관련 기초적 질문입니다. [1] | 832 |
617 | RF Frequency 가변과 FORWARD POWER의 상관관계 [2] | 834 |
616 | RF 파워서플라이 매칭 문제 | 843 |
615 | 플라즈마용사코팅에서의 carrier gas [1] | 845 |
614 | PPV(플라즈마 용융 유리화)에 관해 질문드립니다. [1] | 849 |
613 | center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [1] | 851 |
612 | ICP Dry Etch 진행시 정전기 발생에 관한 질문입니다. [1] | 856 |
611 | RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] | 858 |
610 | 매쳐 출력값 검토 부탁 드립니다. [1] | 861 |
609 | RF MATCHING 관련 교재 추천 부탁드립니다 [1] | 863 |
608 | 연면거리에 대해 궁금합니다. [1] | 866 |
607 | Self bias 내용 질문입니다. [1] | 880 |