Process 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다.
2021.07.12 10:28
안녕하세요.
반도체 회사에서 일 하고 있는 연구원이지만, 플라즈마에 관한 지식이 부족하여 이렇게 질문드립니다.
Plasma etch rate에 관하여 궁금한 것이 있어 이렇게 글을 남기게 되었습니다.
CCP 방식으로 etch를 진행하는 챔버를 PM 후 공정결과가 E/R이 증가되는 경향이 보였습니다.
로그를 분석 해본 결과, PM 전후로 달라진 점은 shunt 값이 감소한 것 밖에는 없습니다.
RF V,I 도 변화하였지만, 그 값들은 shunt가 변함에 따라 변한 것으로 생각하였습니다.
제가 궁금한 점은
1. PM만 진행하였을 때 shunt 값이 변할 수 있나요?
2. 감소한 shunt 값으로 인하여 E/R이 증가할 수 있나요?
3. Shint 값이 변화한 것은 챔버 내부의 저항이 변화되었을 가능성이 가장 큰 것일까요?
이상입니다. 감사합니다!
댓글 1
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