Process 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다.
2021.07.12 10:28
안녕하세요.
반도체 회사에서 일 하고 있는 연구원이지만, 플라즈마에 관한 지식이 부족하여 이렇게 질문드립니다.
Plasma etch rate에 관하여 궁금한 것이 있어 이렇게 글을 남기게 되었습니다.
CCP 방식으로 etch를 진행하는 챔버를 PM 후 공정결과가 E/R이 증가되는 경향이 보였습니다.
로그를 분석 해본 결과, PM 전후로 달라진 점은 shunt 값이 감소한 것 밖에는 없습니다.
RF V,I 도 변화하였지만, 그 값들은 shunt가 변함에 따라 변한 것으로 생각하였습니다.
제가 궁금한 점은
1. PM만 진행하였을 때 shunt 값이 변할 수 있나요?
2. 감소한 shunt 값으로 인하여 E/R이 증가할 수 있나요?
3. Shint 값이 변화한 것은 챔버 내부의 저항이 변화되었을 가능성이 가장 큰 것일까요?
이상입니다. 감사합니다!
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [282] | 77194 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20457 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57357 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68897 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92941 |
625 | ESC Dechuck과 관련하여 궁금한점이 있어 문의를 드립니다. [1] | 14903 |
624 | CVD 막질의 성질에 대해 질문드립니다. [1] | 1368 |
623 | 전자 온도에 대한 질문이 있습니다. [1] | 1026 |
622 | RF 전류가 흐르는 Shower head를 TC로 온도 측정 할 때 [1] | 885 |
621 | CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [1] | 2327 |
620 | 데포 중 RF VDC DROP 현상 [1] | 1544 |
619 | OES 분석 관련해서 질문드립니다. [1] | 1439 |
618 | CF3의 wavelength가 궁금해서 질문드립니다. [1] | 723 |
617 | anode sheath 질문드립니다. [1] | 1027 |
» | 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다. [1] | 741 |
615 | 플라즈마를 통한 정전기 제거관련. [1] | 735 |
614 | RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. | 1481 |
613 | CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [1] | 2036 |
612 | 라디컬의 재결합 방지 [1] | 821 |
611 | LF Power에의한 Ion Bombardment [2] | 2136 |
610 | PECVD와 RIE의 경계에 대해 [1] | 1503 |
609 | 전자 온도 구하기 [1] | 1175 |
608 | 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] | 327 |
607 | CVD 공정에서의 self bias [1] | 3203 |
606 | PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [1] | 3345 |