안녕하세요. ICP 타입 Dry Etcher 장비사에서 근무하는 엔지니어입니다.

효율적이고 안정적인 매칭을 위해 Matcher 의 Matching Network 구성을 변경시키곤 합니다.

여기서 궁금한 점이 생겨 교수님께 문의 드립니다.

1. 플라즈마 안정화시 [기존 Matcher + Chamber] 의 임피던스가 8+j5 라고 가정했을때,
 Matcher 의 L 또는 C의 H/W를 변경시켜도 [Matcher + Chamber] 가 동일하게 8+j5 값을 갖도록 Tune / Load 가 움직이는지

 아니면 기존과 다른 [Matcher + Chamber] 임피던스 값을 갖게 되는지 궁금합니다.
 ※ 변경 전/후 모두 플라즈마는 안정적

2. Matcher Matching Network 구성 변화가 임피던스 범위 변동 외에 플라즈마 방전시 챔버 임피던스에 영향에 주는지
 ※ 오직 Matcher 구성만 변경된것으로 가정

이론적으로 어떻게 접근/해석해야하는지 도움 부탁드립니다.