Etch Etch Plasma 관련 문의 건..
2024.02.13 10:49
안녕하세요,
반도체 장비 회사에 다니고 있는 엔지니어 입니다.
저희 etch 설비(ICP TYPE)가 아래와 같이 Power 및 주파수를 사용하고 있는데
현 상태에서 주파수만 위 아래 변경하면 어떤 효과가 있을지... 궁금하여 질문 드립니다..
답변해 주시면 감사하겠습니다..
현) RF 100W(2Mhz), Bias 150W(13.56MHz) -> 변경) RF 100W(13.56Mhz), Bias 150W(2MHz)
댓글 1
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [280] | 77156 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20438 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57342 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68884 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92913 |
| 62 | [질문] ICP plasma 를 이용하여 증착에 사용하고 있는데요. [3] | 24376 |
| 61 | ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [1] | 24417 |
| 60 | 플라즈마가 불안정한대요.. | 24530 |
| 59 |
반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다.
 | 24644 |
| 58 | H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점... [1] | 24696 |
| 57 | ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [1] | 24779 |
| 56 | RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [1] | 24784 |
| 55 | plasma와 arc의 차이는? | 24819 |
| 54 | 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. | 24897 |
| 53 | Reflrectance power가 너무 큽니다. [1] | 24907 |
| 52 | PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [2] | 24994 |
| 51 | 스퍼터 DC 파워의 High 임피던스가 무슨 의미인가요? | 25590 |
| 50 | 충돌단면적에 관하여 [2] | 26210 |
| 49 | dechucking시 Discharge 불량으로 Glass 깨짐 [3] | 26237 |
| 48 | OES 원리에 대해 궁금합니다! [1] | 26274 |
| 47 | 공정챔버에서의 아킹 및 노이즈 문제... [2] | 26504 |
| 46 | self bias (rf 전압 강하) | 26767 |
| 45 |
이온과 라디칼의 농도
| 27043 |
| 44 | 플라즈마 챔버 의 임피던스 관련 [2] | 27227 |
| 43 | 플라즈마 상태와 RF MATCHING관계 문의 사항 | 27658 |