안녕하세요 교수님

반도체회사에서 icp type 설비(HDP)를 맡고 있는 직장인입니다.

ESC 관련 study 중 아래 사항들에 대해 궁금하여 질문드립니다.

 edge ring의 역할이 ' wafer 가장자리 공정 균일도 제어 용의 부품' 이라는 것을 게시글을 보며 알게 되었습니다.

1. edge ring이 있을 때와 없을 때 어떤 차이가 있는지 알고 싶습니다.

2. Edgr ring을 쓰게되면 플라즈마 하부전극의 Cap을 조절되어 플라즈마 밀도변화와 Edge에서 아래로 휜 Sheath 구배를 Flat하게 변화시킨다는 것을 봤습니다.. ICP 구조 설비의 플라즈마 하부에서(ESC) edge영역의 cap 이 병렬로 추가 됨으로써, 쉬스구배가 왜 flat 해지는건지, 기존에는 edge에서 왜 아래로 휘었는지, CAp이 추가되어 왜 flat해지는지 알고 싶습니다. 플라즈마 강의들을 봐도 관련된 수식이나 원리는 찾기가 어려워 질문드립니다. 

3. WAFER BURN 이슈가 있습니다. 게시글 내 PLASMA가 침투하여 플라즈마의 높은 온도에 의해 해당현상이 나타날 수 있다는 것을 알게 되었습니다. 어떤 원리로 PLASMA가 확산하는지 알고 싶습니다. 

항상 감사드립니다