Collision 충돌단면적에 관하여

2004.06.19 15:56

관리자 조회 수:26186 추천:400

대개의 ICP-Type의 공정은 매우 낮은 압력에서
이루어지는 것으로 알고 있습니다. 이런 경우
전자의 mean free path를 기준으로 플라즈마관련
문제를 푸는 것으로 알고 있습니다. 여기서 질문인데요...
압력이 10mTorr 정도인 경우 mean free path가 충분히 길어
지는 것으로 알고 있습니다. 이런 경우 mean free path를
Chamber의 Size를 기준으로 계산을 해도 되는지 여쭤보고
싶습니다. 만일 안된다면 어떤 이유인지요...^^

이 게시물을
수정 삭제 목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] 76897
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20288
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57206
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68760
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92719
759 Cu migration 방지를 위한 스터디 [1] 226
758 Non-maxwellian 전자 분포의 원인 [1] 226
757 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] 238
756 GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 255
755 대기압 플라즈마 문의드립니다 [1] 258
754 Etch Plasma 관련 문의 건.. [1] 262
753 gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [1] 271
752 RF 스퍼터 관련 질문이 있습니다. [1] 274
751 플라즈마 밀도와 라디칼 [1] 284
750 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] 286
749 RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [1] 302
748 Edge ring의 역할 및 원리 질문 [1] 304
747 Plasma 장비 소재 특성 관련하여 문의드립니다. [1] 320
746 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] 324
745 E-field plasma simulation correlating with film growth profile [1] 324
744 RF sputter 증착 문제 질문드립니다. [1] file 324
743 RIE Gas 질문 하나 드려도될까요? [1] 326
742 플라즈마 에너지가 온도를 높혀주는 역할 [1] 330
741 Massbalance equation 에서 P(t) 유도과정 342
740 PECVD 고온 공정에서 증착 막으로의 열전달 관련 문의드립니다. [1] 348
쓰기
태그

Boards

XE Login