self bias에 대해서 정확히 알고 계십니다. Matching network에 직렬C 가 있음으로 M/N을 사용할 때 Blocking C는 필요없게 됩니다.
아울러 Insulator를 Electrode위에 놓은 상태라면 이 Insulator가 C 역할을 하게 됨으로 이때도 Blocking C가 없어도 self bias가 형성됩니다. 또한 대부분의 반응기에 전극들의 면적비가 상당합니다. 이유는 반응용기 자체를 접지 전극으로 생각학 수 있기 때문입니다.
이점 참고하시기 바랍니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [282] | 77199 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20461 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57359 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68897 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92944 |
166 | 전자온도에 대하여 궁금한 사항이 있습니다. [1] | 18799 |
165 | RF를 이용하여 Crystal 세정장치 [1] | 18883 |
164 | 플라즈마에 관하여... | 18967 |
163 | AMS진단에 대하여 궁금합니다 | 19056 |
162 | 기중방전에서 궁금한것이 | 19169 |
161 | 플라즈마를 손으로 만질 수는 없나요?? | 19177 |
160 | 질문이 몇가지 있읍니다. [1] | 19200 |
159 | scattering cross-section, rf grounding에 관한 질문입니다. [2] | 19232 |
158 | MFC | 19339 |
157 | [Q]플라즈마 생성위한 자유전자라는게 뭐죠? | 19342 |
156 | CCP/ICP에서 자석의 역활에 대하여 | 19362 |
155 | 터보분자펌프에 대해서 질문 좀 하고 싶어요! | 19366 |
154 | AC 플라즈마에서의 전압/전류 형상... | 19407 |
153 | QMA에 관하여 [1] | 19440 |
152 | H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문 입니다. [2] | 19448 |
151 | Full Face Erosion 관련 질문 [2] | 19464 |
150 | 플라즈마를 이용한 박막처리 | 19507 |
» | self bias [1] | 19511 |
148 | [re] 터보분자펌프에 대해서 질문 좀 하고 싶어요! | 19584 |
147 | 플라즈마를 이용한 폐기물 처리 | 19650 |