Sheath PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문

2017.05.31 11:57

음월 조회 수:2843

안녕하세요? 궁금한 사항이 있어 게시글을 남깁니다.

플라즈마를 통한 CCP etcher 의 경우 PE모드와 RIE모드가 있는것으로 알고 있습니다.

이 두경우는 상부전극에 RF를 걸어주느냐, 하부기판에 RF를 걸어주느냐에 따라 분류됨을 알고있습니다.

그런데 쉬스의 경우에는 RIE 모드에서만 기판 가까이 형성이 되고, PE 모드에서는 기판에 형성이 되지 않는다는

자료를 보아서, 궁금하여 질문을 드립니다.

감사합니다.

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [292] 77359
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20517
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57433
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68977
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93003
352 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3882
351 CCP/ICP 의 플라즈마 밀도/균일도 에 대해서 질문이 있습니다. [3] 3905
350 진공장치 챔버내 산소 또는 수분 제거 방법에 대해 [1] 3910
349 the lines of magnetic  induction are frozen into the perfectly conducting material에 대한 질문 [1] file 3979
348 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3998
347 RIE에서 O2역할이 궁금합니다 [4] 4058
346 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 4060
345 Deposition 진행 중 matcher(shunt,series) 관계 질문 [3] 4062
344 ICP plasma에서 RF bias에 대한 문의가 있습니다 [2] 4073
343 RPSC 관련 질문입니다. [2] 4111
342 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 4188
341 RF chamber에서.. particle(부유물) 와 RF reflect power연관성 [1] 4295
340 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4360
339 플라즈마 색 관찰 [1] 4376
338 ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할 4407
337 챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다. [3] 4671
336 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] 4909
335 매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [1] 5159
334 RF power에 대한 설명 요청드립니다. [1] 5261
333 CCP 설비에서 Vdc, Vpp과 Power에 대해 문의드립니다. [1] file 5446
쓰기
태그

Boards

XE Login