안녕하세요

반도체쪽에서 일하는 직장인 입니다.

다름이 아니라 CVD공정 양산 설비 Depo시 간헐적으로  Plasma On시 초기 2초간 Reflect가 발생하더라구요...

이와 관련하여 해당 Chamber Issue로는  Plasma On시 Load 값 Issue가 있어 Matcher교체 하였구요. 

이 후 동일 문제로 RF Filter 교체 하였고 접지Cable Resetting 하였고 Heater 교체도 하였습니다.

이 후에 초기 Reflect가 발생 하였다는 것을 알게 되어 초기 Reflect 관련 문제를 해결하려고 하는데

아직 정확한 원인을 찾지 못하여 이렇게 많은 분들께 조언 구합니다.

실제 Fab에서 양산 설비이기 때문에 Gas 유량, 압력, 동축 Cable 길이 등은 다른 양산 설비와 동일 하구요. (실제 확인도 하였습니다.)

Generator에서 인가되는 Power도 문제 없는 것을 확인하였습니다.

추가로 어떤 부분을 확인하면 도움이 될 지 많은 분들의 조언 부탁드립니다.

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [283] 77272
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20485
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57401
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68922
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92970
507 O2 plasma etching 관련 질문이 있습니다. [1] 1443
506 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1444
505 OES 분석 관련해서 질문드립니다. [1] 1449
» Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 1452
503 MATCHER 발열 문제 [3] 1454
502 PECVD 공정 진행중 chamber wall 부분에서 보이는 plasma instability 관련 질문 드립니다. [1] 1454
501 Ar plasma power/time [1] 1458
500 강의를 들을 수 없는건가요? [2] 1465
499 Plasma 발생영역에 관한 질문 [2] 1465
498 ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 1472
497 rf chamber 내에 생기는 byproduct에 대한 질문 있습니다. [1] 1475
496 플라즈마 rotational temperature에 관해서 질문드릴게 있습니다. [1] 1477
495 RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. 1484
494 Impedence 위상관련 문의.. [1] 1486
493 알고싶습니다 [1] 1492
492 ICP lower power 와 RF bias [1] 1514
491 charge effect에 대해 [2] 1515
490 N2 / N2O Gas 사용시 Plamsa 차이점 [1] 1522
489 PECVD와 RIE의 경계에 대해 [1] 1530
488 Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] 1540

Boards


XE Login