Plasma Source ECR ion source에서 plasma가 켜지면 RF reflect가 심해집니다.
2020.12.27 15:04
안녕하세요 고려대학교 가속기과학과 김지수 학생입니다.
ECR ion source를 연구중인데 ECR chamber에 GAS를 주입하고 RF를 인가중 플라즈마가 켜지게 되면
RF Reflect가 엄청 많아집니다. RF 주파수를 위아래로 조절해 보아도 Rflect가 기본 base line처럼 깔려서 낮아지질 않네요
Plasma상태에 따라서 RF reflect가 많이 달라질까요? 달라진다면 어떤 plasma 상태를 만들어야 될까요?
댓글 2
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [281] | 77181 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20453 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57350 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68888 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92928 |
644 | 플라즈마를 통한 정전기 제거관련. [1] | 733 |
643 | 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다. [1] | 740 |
642 | ICP 후 변색 질문 | 741 |
641 | 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] | 741 |
640 | O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. | 748 |
639 | 플라즈마 진단 OES 관련 질문 [1] | 749 |
638 | 정전척의 chucking voltage 범위가 궁금합니다. [1] | 750 |
637 | 반도체 METAL ETCH 시 CH4 GAS의 역할. [1] | 752 |
636 | Ion과 Radical의 이동 거리 및 거리에 따른 농도와 증착 품질 관련 [1] | 753 |
635 | RPS를 이용한 유기물 식각장비 문의 [1] | 765 |
634 | 코로나 전류에 따른 발생되는 이온의 수와, 하전에 영향을 미치는 요소에 대해서 질문드립니다 [1] | 766 |
633 | 주파수 증가시 플라즈마 밀도 증가 [1] | 766 |
632 | 안녕하세요 OLED 증착 시 궁금한점이있어 문의드립니다 [2] | 769 |
631 | 교수님 질문이 있습니다. [1] | 772 |
630 | Hollow Cathode glow Discharge 실험 관련해서 여쭤보고싶습니다. [1] | 779 |
629 | RF 주파수에 따른 차이점 [1] | 782 |
628 | 플라즈마 용어 질문드립니다 [1] | 793 |
627 | OES를 이용한 Gas Species 정량적 분석 방법 [1] | 795 |
626 | 새집 증후군 없애는 플러스미 - 플라즈마에 대해서 [1] | 796 |
625 | Collisional mean free path 문의... [1] | 801 |