CCP 반사파에 의한 micro arc 질문
2024.03.30 12:47
안녕하세요 교수님
CCP type의 PECVD 공정을 맡고 있는 직장인입니다.
매번 교수님의 설명으로 큰 도움 받고 있습니다, 대단히 감사드립니다.
이번에는 reflect power에 의한 arc 관련 질문 드립니다.
우선 현상은 이렇습니다. HF 가 turn on 되고나서 수 m sec 동안 matcher 가 즉각적으로 대응하지 못하여, 인가되는 power가 전부 반사되는 상황입니다. Power는 1000W 수준이고 수 m sec 이후에는 reflect를 정상적으로 제압해 나갑니다.
Reflect가 발생하는 수 m sec동안 micro arc 가능성이 있다는 얘길 들었습니다. Arc 의 조건에 해당 상황이 부합하지 않는데, 어떤 원리로 arc가 발생할 가능성이 있을까요?
늘 감사드립니다.
댓글 2
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] | 76897 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20286 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57206 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68760 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92719 |
799 | 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [1] | 16 |
798 | 스터퍼링시 기판 온도 계산에 대해 질문드립니다! [1] | 16 |
797 | C2H2 플라즈마코팅시 가스 원인과 대책 | 17 |
796 | Druyvesteyn Distribution | 24 |
795 | DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [1] | 31 |
794 | 플라즈마 식각 커스핑 식각량 | 36 |
793 | Si 와 SiO의 선택적 식각 관련 문의입니다. | 62 |
792 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 65 |
791 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 71 |
790 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 74 |
789 | 플라즈마 설비에 대한 질문 | 76 |
788 | Showerhead와 Heater간 간격에 따른 RPC 효율성 [1] | 78 |
787 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 82 |
786 | 새삼스럽지만 챔버 내에 전류의 정의를 여쭤보고싶습니다. [1] | 84 |
785 | 진공 챔버에서 Plasma Off시 Particle의 wafer 표면 충돌 속도 [1] | 90 |
784 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 95 |
783 | RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] | 98 |
782 | RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] | 121 |
» | 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] | 124 |
780 | Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [1] | 125 |