안녕하세요.

해외에서 박사과정을 하고 있는 학생입니다.

 

RF스퍼터로 reactive sputtering을 통해 유전층을 증착하는 실험을 하는데요.

저희연구실에서는 스퍼터링 가스로 Ar/Kr를 사용하고 있습니다.

학부때는 Kr이 Ar보다 질량이 커서 sputtering yield가 증가한다 정도로만 배웠는데, ion bombardment energy 가 작기 때문에 플라즈마 데미지가 줄고, 더 좋은 막질이 형성된다고 하더라구요.

논문을 조금 찾아봤는데 스퍼터링 가스에 대한 연구는 오래전에 진행되었는지 최근논문들을 찾아보기 힘들더라구요.

그냥 단순히 생각했을 때 질량이 크면 충돌하는 에너지도 크고, 데미지가 더 셀 것 같은데 Kr 등의 가스가 Ar보다 플라즈마 데미지가 적은 원리에 대해 설명을 부탁드려도 될까요?

 

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [314] 80567
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 21559
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 58361
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69969
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 95170
444 Plasma etcher particle 원인 [Particle issue와 wafer의 sheath] [1] 3235
443 아르곤이나 기타 플라즈마 토치에 소량의 수증기를 집어넣으면 온도가 떨어지는 현상에 대해서 3192
442 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [표면 전위 생성 및 방전] [3] 3165
441 VI sensor를 활용한 진단 방법 [Monitoring과 target] [2] 3084
440 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Depostion Rate 감소 현상 문의 [전자의 에너지와 중성입자와의 충돌] [1] 3060
439 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 3013
438 PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [전극 표면 전위] [1] 3000
437 Edge ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 여쭤봅니다. [웨이퍼 근방 쉬스 특성, Edge ring] [2] 2979
436 임피던스 매칭회로 [전기공학 회로 이론 및 impedance matching] [1] file 2979
435 수소 플라즈마 관련해서 질문이 있습니다. [MFC와 H2 gas retention] [3] 2892
434 RIE에 관한 질문이 있습니다. [Sheath 이온 거동 및 bias power] [1] 2820
433 플라즈마 압력에 대하여 [Glow discharge와 light] [1] 2802
432 [RIE] reactice, non-reactice ion의 역할 [Dissociation과 Ar plasma] [1] 2787
431 PR wafer seasoning [Particle balance, seasoning] [1] 2784
430 플라즈마 밀도 관련 문의 드립니다. [대기압 플라즈마와 라디컬 생성] [1] 2771
429 SI Wafer Broken [Chucking 구동 원리] [2] 2738
428 RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY [LF와 Sheath] [1] 2717
427 질문있습니다. [전자 에너지 분포함수 및 Maxwell 분포] [1] 2700
426 안녕하십니까 파워업체 연구원 입니다.(챔버쪽 임피던스 검출) [플라즈마 특성과 장비 임피던스] [1] file 2675
425 산소 양이온의 금속 전극 충돌 현상 [플라즈마 표면 반응] [1] 2666

Boards


XE Login