Etch 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화
2018.09.19 13:15
안녕하세요.
궁금한 점이 있어 질문 드립니다.
일반적인 Dry etcher 장비에서 chamber 임피던스가 어떤 영향에 의해 변화 되었다면
그 결과의 공정에도 변화가 있는지요?
임피던스가 크게 변화되었다면 어떤식으로도 표현이 되겠지만,
미세하게 변화된 경우(물론 RF메칭범위 내에는 있겠죠), 공정 결과도 변화가 발생되는지 궁금합니다.
예를 들어주셔도 됩니다.
이상입니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [282] | 77194 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20457 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57357 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68897 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92941 |
445 | RF MATCHING 관련 교재 추천 부탁드립니다 [1] | 863 |
444 | RF tune position 과 Vrms의 관계가 궁금합니다 [1] | 983 |
443 | Frequnecy에 따라 플라즈마 영역이 달라질까요? [1] | 575 |
442 | Ar/O2 ICP 플라즈마 관하여 [1] | 1678 |
441 | 염소발생 전기분해 시 스파크 발생에 관해 질문드립니다. [1] | 396 |
440 | magnetic substrate와 플라즈마 거동 [3] | 477 |
439 | 플라즈마 세라믹코팅후 붉은 이유는? | 2347 |
438 | Pecvd 장비 공정 질문 [1] | 1688 |
437 | CCP 챔버 접지 질문드립니다. [1] | 1350 |
436 | DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] | 2384 |
435 | Gas 별 Plasma 색 관련 질문입니다. [1] | 3540 |
434 | RF magnetron sputtering시 플라즈마 off현상 [1] | 698 |
433 | RF Generator 주파주에 따른 Mathcer Vrms 변화. [1] | 1223 |
432 | 플라즈마 self bias 값과 압력, 파워의 상관관계에 대해 질문이 있습니다. [1] | 2168 |
431 | 산소 플라즈마에 대한 질문입니다... | 500 |
430 | 수중 속 저온 플라즈마 방전 관련 질문 드립니다 [2] | 600 |
429 | 자기 거울에 관하여 | 1149 |
428 | 플라즈마 장치 관련 기초적 질문입니다. [1] | 832 |
427 | Descum 관련 문의 사항. [1] | 3778 |
426 | RPC CLEAN 시 THD 발생 [1] | 650 |