Plasma in general O2 plasma, H2 plasma 처리 관련 질문이 있습니다.

2020.05.28 12:04

김병진 조회 수:6469

안녕하세요. 저는 반도체 업종에서 근무하고 있습니다.

궁금한 점이 있어 질문드립니다.

Amorphous carbon 을 O2 분위기하에서 플라즈마 처리 할 경우 제거되는 지 궁금합니다.

또한 TIN 막을 H2 plasma 처리 할 경우 질소가 제거 된 TI가 되는 지 궁금합니다.

챔버 내 대기압 또는 진공상태가 위의 결과에 영향을 크게 미치는 지 궁금합니다.

감사합니다.

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [283] 77218
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20468
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57362
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68902
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92950
506 OES 분석 관련해서 질문드립니다. [1] 1441
505 O2 plasma etching 관련 질문이 있습니다. [1] 1442
504 MATCHER 발열 문제 [3] 1449
503 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 1450
502 PECVD 공정 진행중 chamber wall 부분에서 보이는 plasma instability 관련 질문 드립니다. [1] 1450
501 Ar plasma power/time [1] 1455
500 강의를 들을 수 없는건가요? [2] 1460
499 Plasma 발생영역에 관한 질문 [2] 1464
498 ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 1465
497 rf chamber 내에 생기는 byproduct에 대한 질문 있습니다. [1] 1473
496 플라즈마 rotational temperature에 관해서 질문드릴게 있습니다. [1] 1475
495 RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. 1481
494 Impedence 위상관련 문의.. [1] 1486
493 알고싶습니다 [1] 1488
492 charge effect에 대해 [2] 1502
491 PECVD와 RIE의 경계에 대해 [1] 1506
490 ICP lower power 와 RF bias [1] 1507
489 N2 / N2O Gas 사용시 Plamsa 차이점 [1] 1514
488 Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] 1525
487 연속 plasma 방전시 RF power drop 및 Reflect 발생 [1] 1538
쓰기
태그

Boards

XE Login