Plasma in general 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..?
2021.05.25 11:57
안녕하세요. 반도체 회사에 재직중인 장비엔지니어 입니다.
에칭을 진행하는 특정 공정에서 특정 Step을 진행하는 중간에
60Mhz만 Ref가 튀면서 Bias Power도 튀는 현상이 있습니다..
27Mhz, 2Mhz도 사용하지만 해당 Power의 Ref는 정상이구요..
매쳐나 Generator를 바꿔봐도 현상이 똑같은거보면 chamber 내부에서 분위기가 달라지면서 발생하는 현상일 것 같은데
어떤 이유들이 이런 현상을 일으킬 수 있을까요..?
댓글 2
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [282] | 77213 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20465 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57362 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68901 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92946 |
| 626 | OES를 이용한 Gas Species 정량적 분석 방법 [1] | 799 |
| 625 | Collisional mean free path 문의... [1] | 805 |
| 624 | 플라즈마 충격파 질문 [1] | 812 |
| 623 | Si Wafer에 Plasma를 처리했을때 정전기 발생 [1] | 817 |
| 622 | 방전수 활성종 중 과산화수소 측정에 관련하여 질문드립니다. [1] | 818 |
| 621 | DBD Plasma Actuator 원리에 대한 질문입니다. [1] | 821 |
| 620 | 라디컬의 재결합 방지 [1] | 822 |
| 619 | ECR ion source에서 plasma가 켜지면 RF reflect가 심해집니다. [2] | 828 |
| 618 | 플라즈마 장치 관련 기초적 질문입니다. [1] | 832 |
| 617 | RF Frequency 가변과 FORWARD POWER의 상관관계 [2] | 834 |
| 616 | RF 파워서플라이 매칭 문제 | 843 |
| 615 | 플라즈마용사코팅에서의 carrier gas [1] | 846 |
| 614 | PPV(플라즈마 용융 유리화)에 관해 질문드립니다. [1] | 849 |
| 613 | center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [1] | 851 |
| 612 | ICP Dry Etch 진행시 정전기 발생에 관한 질문입니다. [1] | 856 |
| 611 | RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] | 858 |
| 610 | 매쳐 출력값 검토 부탁 드립니다. [1] | 861 |
| 609 | RF MATCHING 관련 교재 추천 부탁드립니다 [1] | 863 |
| 608 | 연면거리에 대해 궁금합니다. [1] | 866 |
| 607 | Self bias 내용 질문입니다. [1] | 881 |