ICP skin depth에 대한 이해
2024.04.02 16:59
안녕하십니까, 교수님. 플라즈마에 관심이 많은 전자과 학부생입니다.
ICP에서의 skin depth에 대해 알아보고 있는데, 궁금한 점이 있어 질문 드리고 싶습니다.
skin depth는 전자기파가 챔버 내로 침투할 수 있는 길이로, 플라즈마 밀도가 높아질수록 해당 길이는 짧아진다고 알고 있습니다.
고밀도 플라즈마에서는 quartz window 근방에 형성된다고 알고 있는데, 그렇다면 icp는 주로 해당 부근에서 전자가 가속된다고 생각해도 될까요?(CCP가 Cathode fall 부근에서 주로 가속되는 것과 비슷하게).
비슷한 방면으로, icp에서 E-mode->H mode로 전환되며 플라즈마 밀도가 커지면서 skin depth 또한 줄어들 것이니, 플라즈마 형성 초기에는 전자가 흡수하는 에너지가 커지다가, 이후 점차 작아질 것이라고 생각하는데, 이러한 태생적인 특징이 icp 플라즈마 밀도 증가의 한계에 영향을 끼친다고 볼 수 있을까요?
감사합니다.
댓글 1
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [280] | 77170 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20450 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57349 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68888 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92922 |
| 803 |
Ion 입사각을 확인하는 방법 문의드립니다
 | 1 |
| 802 | C2H2 플라즈마코팅시 가스 원인과 대책 | 31 |
| 801 | Druyvesteyn Distribution | 38 |
| 800 | DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [1] | 48 |
| 799 | 스터퍼링시 기판 온도 계산에 대해 질문드립니다! [1] | 52 |
| 798 | 플라즈마 식각 커스핑 식각량 | 53 |
| 797 | ICP Plasma etch chamber 구조가 궁금합니다. [1] | 55 |
| 796 | PECVD 실험을 하려고 하는데 조언 구합니다. | 56 |
| 795 | 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [1] | 67 |
| 794 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 71 |
| 793 | HE LEAK 과 접촉저항사이 관계 [1] | 74 |
| 792 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 79 |
| 791 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 81 |
| 790 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 88 |
| 789 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 100 |
| 788 | 플라즈마 설비에 대한 질문 | 102 |
| 787 | Si 와 SiO의 선택적 식각 관련 문의입니다. | 105 |
| 786 | RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] | 112 |
| 785 | Showerhead와 Heater간 간격에 따른 RPC 효율성 [1] | 112 |
| 784 | 진공 챔버에서 Plasma Off시 Particle의 wafer 표면 충돌 속도 [1] | 123 |