Etch N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요
2010.01.20 17:55
안녕하세요.
N2 Gas를 이용하여 monomer 박막 Etching을 하는데요.
10min 공정에 200A/min etching 되었는데 50min 공정에서 500A/min 정도로 1/2로 Etching rate이 줄었습니다.
그 이유를 자세히 알고 싶은데요.
빠른 답변좀 부탁 드릴께요.
예상 되는 원인은 : 공정 시간이 길어 짐에 따라 chamber 내 온도 상승으로 박막 경화 되어 Etching rate이 감소 했을것으로
생각 되는데 이게 맞는건가요?? 그리고 다른 예상 가능한 원인들좀 알려 주세요.
감사합니다.
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