.반도체회사에서 pecvd 담당하고 있는 초보인데요. 궁금한게 몇개 있어 물어보겠습니다.

1.  pecvd 증착 후 wafer edge에 많은 defect을 해결하는 방법 (center는 깨끗함, edge에만 defect이 수없이 많음)

2. pecvd deposition 중  reflected power가  팅기는 현상으로 인해 두께가 낮아지거나 높아지는 현상이 있나요? 있다면 해결방법 알려주세요.

3. 한번 공정할때 wafer가 5장이 들어가는데 최대한 두께가 균일하게 증착할 방법이 있을까요? 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [286] 77294
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20490
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57409
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68939
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92987
450 방전에서의 재질 질문입니다. [1] 3568
449 Gas 별 Plasma 색 관련 질문입니다. [1] 3559
448 plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] 3510
447 Bias 관련 질문 드립니다. [1] 3506
446 RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다. [2] 3480
445 RF plasma 증착 시 arcing 관련하여 질문드립니다. [1] 3470
444 코로나 방전의 속도에 관하여... [1] 3454
443 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3400
442 Etcher Chamber Wall에 의도적으로 Polymer를 증착시키고 싶습니다. [2] 3351
441 PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [1] 3349
440 Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다. [2] 3342
439 electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [2] 3282
438 matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [3] 3255
437 CVD 공정에서의 self bias [1] 3224
436 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 3205
435 아르곤이나 기타 플라즈마 토치에 소량의 수증기를 집어넣으면 온도가 떨어지는 현상에 대해서 3168
434 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 3086
433 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 3079
432 Plasma etcher particle 원인 [1] 3075
431 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [1] 3070

Boards


XE Login