Plasma in general CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도
2021.06.29 17:14
안녕하세요, 반도체 회사에 근무하는 직장인입니다.
여쭐 것이 있어 글을 남겨 봅니다.
산업현장에서 쓰는 플라즈마 챔버간의 특성 차이 문제는 극복해야할 문제인데요,
제가 지금 경험하고 있는것은, N2 gas 전처리의 특성이 달라서 챔버간 소자 결과 차이가 난다는 것입니다.
여기서 질문이 있습니다.
1. CVD의 RPSC step(셀프 클리닝)에서 시즈닝 공정 조건 즉 시즈닝 레시피가 Sio2 증착 recipe (Sih4+N20) 인지? 혹은 SiNx(Sih4+nh3)인지에 따라 후속에서 진행될 N2 플라즈마의 전자 온도, 전자 밀고, 이에 따른 N2 해리율 변동을 야기 할 수 있을지요??
2. 야기 한다면 시즈닝을 SiO2로 하다가 Sinx 로 할 경우, 전자 밀도 온도 N2 해리율이 증가하는 방향일지? 감소하는 방향일지요?
이것이 시즈닝 박막의 유전율과 연관이 있을지?? 궁금합니다.
답변주시면 큰 도움이 될 것 같습니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] | 77091 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20397 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57306 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68849 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92861 |
621 | CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [1] | 2317 |
620 | 데포 중 RF VDC DROP 현상 [1] | 1542 |
619 | OES 분석 관련해서 질문드립니다. [1] | 1429 |
618 | CF3의 wavelength가 궁금해서 질문드립니다. [1] | 719 |
617 | anode sheath 질문드립니다. [1] | 1013 |
616 | 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다. [1] | 738 |
615 | 플라즈마를 통한 정전기 제거관련. [1] | 733 |
614 | RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. | 1474 |
» | CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [1] | 2023 |
612 | 라디컬의 재결합 방지 [1] | 814 |
611 | LF Power에의한 Ion Bombardment [2] | 2108 |
610 | PECVD와 RIE의 경계에 대해 [1] | 1491 |
609 | 전자 온도 구하기 [1] | 1162 |
608 | 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] | 326 |
607 | CVD 공정에서의 self bias [1] | 3177 |
606 | PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [1] | 3339 |
605 | 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] | 1150 |
604 | 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 답변 정말 감사합니다! | 1871 |
603 | ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 | 1453 |
602 | 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] | 1106 |