DC glow discharge ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다.
2023.08.01 09:48
안녕하세요 ICP Dry Etch 설비를 운용하는 엔지니어입니다.
일전에도 비슷한 질문을 하긴 했는데요, 추가로 궁금한것이 있어 질문드립니다.
설비 문제점 발생 :
- 13.56MHz를 Bias1으로 50w, Striking 및 Etch로 사용하는 Recipe에서만 DC bias 발생하고 있는데요. 특정 step에서만 Trend 내 Hunting이 발생하고 있고, 다른 Step에서도 동일하게 Bias1을 사용하는데 문제점이 발생하지 않고 있습니다.
- 해당 문제는 매 w/f 진행 간 발생하는것이 아닌 한번 발생하면 추가 발생 빈도수가 높은 문제가 있습니다.
1. 관리하는 Parameter에서 DC Bias란 W/F 와 Plasma에 인가된 전압으로 알고 있는데요, Etch 하고자 하는 Layer의 계면 및 Gas, etchant 등으로 DC Bias가 영향이 많이 갈까요?
2. 1번 질문이 맞다면, Hbr로 si layer를 etch할 때 ion Energy, DC Bias가 Hunting하는 과정이 궁금합니다.
> Hbr이 Si Layer를 etch 하면서 SiBr4가 날라가면서 DC bias가 hunting 하는지...?
3. 해당 문제는 HW적인 조치로 발생율을 완화하고 있는데요, PLASMA RF RETRUN PATH로 작용하는 설비 내 CATHODE와 연결되는 PARTS를 교체하고 있습니다.
해당 PARTS는 원형 평면구조로 ESC 둘레로 장착되며, Y2O3로 코팅되어 있는데요, HBr의 gas 영향성으로 Si layer를 ETCH 하는 과정에서 RF RETRUN PATH로 작용하는걸 방해 할 수 있을까요?
감사합니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [286] | 77308 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20506 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57415 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68958 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92989 |
730 | Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [1] | 22825 |
729 | [질문] Plasma density 측정 방법 [1] | 22721 |
728 | pulse plasma 측정을 위한 Langmuir probe 사용 방법 관련.. [1] | 22651 |
727 | Peak RF Voltage의 의미 | 22647 |
726 | MATCHING NETWORK 에서 BACKWARD BIAS 가 생성되는 이유가 무엇 입니까? [3] | 22587 |
725 | Dry Etcher 에 대한 교재 [1] | 22567 |
724 | remote plasma에 대해 설명좀 부탁드립니다. [1] | 22349 |
723 | Dry Etcher 내 reflect 현상 [2] | 22281 |
722 | 질문있습니다 교수님 [1] | 22244 |
721 | 플라즈마의 발생과 ICP | 22176 |
720 | 플라즈마 코팅에 관하여 | 22110 |
719 | 플라즈마 온도 질문 + 충돌 단면적 | 22021 |
718 | 펄스바이어스 스퍼터링 답변 | 21970 |
717 | 플라즈마내의 전자 속도 [1] | 21944 |
716 | glass 기판 ICP 에서 Vdc 전압 | 21789 |
715 | manetically enhanced plasmas | 21666 |
714 | 스퍼터링시 시편두께와 박막두께 [1] | 21663 |
713 | ccp-icp | 21591 |
712 | 대기압플라즈마를 이용한 세정장치 | 21555 |
711 |
F/S (Faraday Shield)
![]() | 21551 |