Sheath CCP 에서 Area effect(면적) ?

2004.06.21 15:49

관리자 조회 수:21436 추천:331

질문 ::

안녕하세요
며칠 전에 교수님에게 교육을 받고 궁금한 것이 있어 멜을 보냅니다.

self_bias 를 만들기 위해서 blocking capacitor 와 전극의 면적크기를 달리하는 데, 면적의 크기를 달리 하면 왜 Self-bais 가 향상되죠?

답변 ::

Self bias에 관한 이전의 설명을 참조하시기 바랍니다.

단, blocking capacitor와 전극의 면적이 크기를 달리한다고 생각하였는데 blocking capacitor의 역할은
반응기의 electrode와 연결된 power supply에 높은 직류 전류가 흐르는 것을 막기위한 안전장치로써
electrode와 직렬 연결되어 있는 capacitor를 의미하며, 이 capacitor는 또한 DC 전류를 block함으로써
capacitor와 연결되어 있는 electrode의 전위를 음으로 shift시키게 됩니다 (self bias). 또한 electrode 의 전극의 크기가
bias 전위의 크기에 영향을 주는 이유는 이 전극이 플라즈마와 직렬로 연결되어 있음으로 플라즈마와 전극 사이에  
형성되어 있는 sheath 영역의 capacitance의 크기가 변하기 때문입니다. 일반적으로 면적이 넓어지면 capacitance는 커지나
전류의 크기가 같아하고 (직렬회로) 따라서 같은 시간동안 하전되는 전하량은 전극의 크기에 상관없이 같아야 할 것입니다.
따라서 C가 큰 곳에는 voltage drop이 작아야 하며 C가 작은 곳에서는 V가 크게 되고 이 C는 전극의 크기, V는 sheath potential
즉 플라즈마에서 전극으로 전위가 강하되는 값을 나타냅니다. 따라서 크기가 작은 전극 앞에서의 전위변화가 매우
크게 나타나게 되는 것 입니다.  

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [284] 77284
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20486
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57404
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68931
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92985
109 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 516
108 안녕하세요, RPS나 DEPOSITION간에 발생하는 ELECTRON TEMPERATURE가 궁금합니다. [1] 510
107 플라즈마 세정처리한 PCB, Lead Frame 재활용 방법 [1] 504
106 plasma striation 관련 문의 [1] file 503
105 산소 플라즈마에 대한 질문입니다... 503
104 자외선 세기와 결합에너지에 대해 질문드립니다. [1] 502
103 (PAP)plasma absorption probe관련 질문 [1] 491
102 magnetic substrate와 플라즈마 거동 [3] 479
101 스퍼터링 Dep. 두께 감소 관련 문의사항 [1] 477
100 코로나 방전 처리 장비 문의드립니다. [1] 477
99 Fluoride 스퍼터링 시 안전과 관련되어 질문 [1] 476
98 크룩수의 음극선도 플라즈마의 현상인가요? [1] 475
97 Tribo-Plasma 에 관해서 질문드리고 싶습니다. 473
96 ISD OES파형 관련하여 질문드립니다. [1] 472
95 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 469
94 안녕하세요 CLEAN GAS 관련 질문이 있습니다. [1] 469
93 CCP 설비 Capacitance 및 Impedance 변화에 따른 Vpp 변동성 문의 [2] 457
92 standing wave effect, skin effect 원리 [1] 457
91 KM 모델의 해석에 관한 질문 [1] 457
90 glass에 air plasma 후 반응에 대해 질문이 있습니다. [1] 456

Boards


XE Login