안녕하세요?

 

장비업체에서 근무하고 있는 엔지니어 입니다.

 

예전 책에서 공부한 바에 따르면 압력이나 챔버가 일정한 상태에서는

 

RF Power가 증가하면 전자의 에너지는 증가할 수 있지만 이 에너지는 이온화 과정에서 잃어버리기 때문에

 

밀도는 증가하는 것이고 Te는 일정하다고 알고있었는데,

 

실제 플라즈마 진단 테스트를 해보니까

 

RF Power가 증가함에 따라 플라즈마 밀도와 전자온도 다 증가하는 결과를 얻었습니다.

 

소스 타입은 ICP이고 수소 플라즈마 입니다.

 

이 경우, 전자온도가 매우 높아서 이온화를 하고도 에너지가 남을 만큼 큰 에너지를 얻었기 때문인가요?

 

어떤 메커니즘으로 이런 현상이 일어나는지 궁금합니다.

 

답변 주시면 감사하겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] 77121
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20413
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57326
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68864
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92885
321 O2, N2, Ar 플라즈마에 대한 질문입니다. [2] 6301
320 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 6304
319 Matcher의 Load, Tune 영향을 미치는 요소가 궁금합니다. [2] 6306
318 공동형 플라즈마에서 구리 전극의 식각 문제 [2] 6370
317 액체 안에서의 Dielectric Barrier Discharge에 관하여 질문드립니다! [1] 6410
316 플라즈마 기술관련 문의 드립니다 [1] 6420
315 O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] 6453
314 O2 plasma, H2 plasma 처리 관련 질문이 있습니다. [1] 6458
313 저온플라즈마에 대하여 ..질문드립니다 ㅠ [1] 6476
312 플라즈마 데미지에 관하여.. [1] 6501
311 플라즈마 건식식각 장비 부품 정전척 공정 진행 후 외각 He-hole 부위 burning 현상 매카니즘 문의.. [1] 6502
310 플라스마 상태에서도 보일-샤를 법칙이 적용 되나요? [1] 6541
309 안녕하세요, 질문드립니다. [2] 6572
308 저온 플라즈마에 관해서 [1] 6700
307 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 6762
306 ETCH 관련 RF MATCHING 중 REF 현상에 대한 질문입니다. [1] 7125
305 RF Generator와 Impedance 관련 질문있습니다 [2] 7308
304 정전척 isolation 문의 입니다. [1] 7662
303 CCP에서 DIelectric(유전체)의 역활 [1] 7672
302 플라즈마 쪽에 관심이 많은 고등학생입니다. [1] 7713

Boards


XE Login