Others 고온 플라즈마 관련
2012.06.04 11:49
안녕하세요?
배가스의 SOx와 NOx 처리에 저온 플라즈마를 사용하는데 관련된 논문이 있었는데,
그 중에서 Radical 생성이 잘 되지 않아서 문제가 있는 것을 봤습니다.
혹시 고온 플라즈마를 사용하여 Radical 생성을 더 잘 생성시킬 수 있을까요?
만약 고온 플라즈마가 Radical을 더 잘 생성시킬 수 있다면 왜 지금까지 연구하신 분들이 모두 저온 플라즈마를 사용하는 방안을
연구하셨을까요? 거기에 다른 이유가 있나요?
빠른 답변이면 감사하겠습니다.댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [286] | 77301 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20496 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57414 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68946 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92988 |
270 | RPSC 시 Pressure와 Throttle Valve Position의 관계 [1] | 1226 |
269 | ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] | 1215 |
268 | Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] | 1212 |
267 | 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] | 1207 |
266 | MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] | 1194 |
265 | 전자 온도 구하기 [1] | 1190 |
264 | 산소 플라즈마 처리 관하여 질문드립니다. [1] | 1190 |
263 | O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 | 1189 |
262 | 대학원 진학 질문 있습니다. [2] | 1188 |
261 | 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] | 1181 |
260 | 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] | 1180 |
259 | 공정플라즈마 [1] | 1175 |
258 | 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] | 1175 |
257 | 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [1] | 1174 |
256 | wafer bias [1] | 1165 |
255 | Group Delay 문의드립니다. [1] | 1161 |
254 | 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] | 1158 |
253 | Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] | 1155 |
252 | RF 반사파와 이물과의 관계 [1] | 1155 |
251 | 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] | 1152 |