안녕하세요~ ETCH ENG'r 입니다.

몇가지 질문 드리려 가입했습니다.

1. W ETCH 시에 SF6 GAS를 이용하게 되는데 이 경우 WFx의 Radical이 발생하게 됩니다. 이 Radical이 특히 Chamber내에 Polymer를 많이 발생시키는 건지 궁금합니다. (옛날 논문을 참고해보면 이 공정 자체가 더러운 공정이라는 말이 있어서요..)

2. W ETCH 후 ISD 진행시에 NF3 Gas를 사용하는데 이게 어떤 반응식을 통해 Paticle 제거 효과를 보는건지 궁금합니다.

답변 달아주시면 감사하겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] 76897
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20292
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57209
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68761
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92719
579 CCP Plasma 해석 관련 문의 [1] file 1022
578 DC Magnetron Sputter 플라즈마 진단 [1] 1029
577 Plasma 에서 Coupled (결합) 의 의미 [1] 1034
576 플라즈마 코팅 [1] 1038
575 진학으로 고민이 있습니다. [2] 1040
574 DC Plasma 전자 방출 메커니즘 1049
573 리모트 플라스마 소스 AK 부품 수출 관련 질문 입니다 반도체 장비 부풉ㅁ 1050
572 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 1057
571 Decoupled Plasma 관련 질문입니다. [1] 1061
570 고전압 방전 전기장 내 측정 [1] file 1070
569 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 1071
568 HEATER 교체 이후 SELF BIAS 상승관련 문의 [1] 1077
567 Plasma Arching [1] 1077
566 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 1079
565 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 1092
564 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 1099
563 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] 1100
562 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [1] 1103
561 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] 1123
560 RF 반사파와 이물과의 관계 [1] 1130

Boards


XE Login