Etch 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화
2018.09.19 13:15
안녕하세요.
궁금한 점이 있어 질문 드립니다.
일반적인 Dry etcher 장비에서 chamber 임피던스가 어떤 영향에 의해 변화 되었다면
그 결과의 공정에도 변화가 있는지요?
임피던스가 크게 변화되었다면 어떤식으로도 표현이 되겠지만,
미세하게 변화된 경우(물론 RF메칭범위 내에는 있겠죠), 공정 결과도 변화가 발생되는지 궁금합니다.
예를 들어주셔도 됩니다.
이상입니다.
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [280] | 77164 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20443 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57345 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68885 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92919 |
| 442 | Ar/O2 ICP 플라즈마 관하여 [1] | 1677 |
| 441 |
염소발생 전기분해 시 스파크 발생에 관해 질문드립니다.
[1]  | 395 |
| 440 | magnetic substrate와 플라즈마 거동 [3] | 475 |
| 439 | 플라즈마 세라믹코팅후 붉은 이유는? | 2345 |
| 438 | Pecvd 장비 공정 질문 [1] | 1686 |
| 437 |
CCP 챔버 접지 질문드립니다.
[1] | 1347 |
| 436 | DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] | 2377 |
| 435 | Gas 별 Plasma 색 관련 질문입니다. [1] | 3530 |
| 434 | RF magnetron sputtering시 플라즈마 off현상 [1] | 695 |
| 433 | RF Generator 주파주에 따른 Mathcer Vrms 변화. [1] | 1218 |
| 432 | 플라즈마 self bias 값과 압력, 파워의 상관관계에 대해 질문이 있습니다. [1] | 2164 |
| 431 | 산소 플라즈마에 대한 질문입니다... | 499 |
| 430 |
수중 속 저온 플라즈마 방전 관련 질문 드립니다
[2] | 599 |
| 429 | 자기 거울에 관하여 | 1148 |
| 428 | 플라즈마 장치 관련 기초적 질문입니다. [1] | 831 |
| 427 | Descum 관련 문의 사항. [1] | 3766 |
| 426 | RPC CLEAN 시 THD 발생 [1] | 648 |
| 425 | Plasma Generator 관련해서요. [1] | 913 |
| 424 | Plasma 발생영역에 관한 질문 [2] | 1462 |
| 423 | glass에 air plasma 후 반응에 대해 질문이 있습니다. [1] | 452 |
당연합니다. 챔버 임피던스의 정의가 서로 다를 수 있겠지만, 운전 중에 측정된 chamber impedance라면 당연히 chamber 내의 plasma 정보를 포함할 수 밖에 없고, 그 변화가 유발되었다는 것입니다. 물론 chamber의 열화 및 노후화로 인한 변화도 포함될 수 있겠지만, 그 어떤 경우라도 chamber impedance의 변화는 coupling power의 변화로 부터 야기된 공정 변화, 혹은 공정 드리프트의 진단 인자가 될 수 있습니다. 하지만 이를 FDC로 쓰기 위해서는 면밀한 해석이 필요하겠지요. 중요한 공정진단 기술을 확보하셨습니다. 실용 기술로 잘 발전시켜 보시기 바랍니다.