Plasma in general RF tune position 과 Vrms의 관계가 궁금합니다
2018.12.30 00:05
안녕하세요. 반도체 회사에서 근무하고 있는 엔지니어 입니다.
최근 설비이슈로 rf tune position 상승의 문제가 있는데 load는 변동이 없는데 유독 tune position만 상승합니다. 이때 Vrms는 tune과 반비례로 하강하는 trend를 보이는데,
1. tune과 Vrms 의 상관관계가 어떻게 되나요?
2. 유독 tune이 상승하는 원인을 어디서부터 찾아야 할까요?
바쁘신 와중에 항상 도움을 주셔서 감사합니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] | 76988 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20335 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57260 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68804 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92803 |
481 | 교수님 질문이 있습니다. [1] | 768 |
480 | wafer bias [1] | 1142 |
479 | Group Delay 문의드립니다. [1] | 1152 |
478 | Plasma에 의한 분해 및 치환 반응(질문) [1] | 519 |
477 | RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [2] | 2040 |
476 | 리모트 플라스마 소스 AK 부품 수출 관련 질문 입니다 반도체 장비 부풉ㅁ | 1051 |
475 | 안녕하세요 ICP dry etching 관련 질문사항드립니다! [1] | 1980 |
474 | PEALD관련 질문 [1] | 32652 |
473 | N2 Plasma 상태에 대해서 질문 드립니다. [1] | 2291 |
472 | dry etching중 온도, 진공도, glass상태에 따라 chucking force가 변화하는지요? [1] | 3584 |
471 | Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] | 1083 |
470 | 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] | 733 |
469 | ICP plasma에서 RF bias에 대한 문의가 있습니다 [2] | 4011 |
468 | VPS 공정에서 압력변수관련 질문입니다. [1] | 428 |
467 | 임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다. [4] | 2365 |
466 | 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] | 1168 |
465 | Langmuir probe의 위치에 관한 질문입니다. [3] | 1359 |
464 | 상압플라즈마 제품 원리 질문드립니다 [2] | 960 |
463 | 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] | 2032 |
462 | plasma etching을 관련 문의드립니다. [1] | 2440 |
도움이 되실지 모르겠는데, 본 게시판 (상단에 보시면 항목을 나누어 놓았는데, chamber component 에 들어가면 matcher 항목)에서 토의된 내용을 확인해 보시기 바랍니다. 설비 이슈가 있었다면 chamber impedance가 바뀌었을 확률이 클 것도 같습니다.