Remote Plasma RPG Cleaning에 관한 질문입니다.
2019.06.26 09:28
안녕하세요.
반도체 사업에 종사중이며, PECVD장비를 다루고 있습니다.
SiN, SiO Film 을 증착시, NF3 가스로 RPG를 사용해 Cleaning을 진행합니다.
몇몇 글을 보며, in-situ plasma를 동시에 사용하여, N2O / O2를 공급하면, Cleaning 효율이 좋다고 하는 것 같습니다.
다음에 대한 질문을 드리고 싶습니다.
1. Film 증착 시 SiH4 및 H2 Gas를 사용하는데, Cleaning 시 O2 Gas 를 사용해도 안전상 문제가 없을까요?
2. RPG를 이용한 Cleaning Process 이후, 잔여 Fluorine Gas 는 HF 형태로 잔존하고 있는 걸까요?
3. 2번에서 Cleaning Process 이후 잔여 Fluorine Gas 를 제거하는 방법이 따로 있을까요?
작은 경험이나마, Low Vacuum 에서 High Vacuum으로 전환 시 Plasma 방전 유무에 따라 Pumping Time이 확연히 차이나기는 했습니다.
감사합니다.
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [283] | 77228 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20468 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57362 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68903 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92951 |
| 566 | Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] | 1103 |
| 565 | Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] | 1110 |
| 564 | 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] | 1116 |
| 563 | etch defect 관련 질문드립니다 [1] | 1124 |
| 562 | 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] | 1142 |
| 561 | 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. | 1148 |
| 560 | 자기 거울에 관하여 | 1150 |
| 559 | RF 반사파와 이물과의 관계 [1] | 1151 |
| 558 | Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] | 1151 |
| 557 | 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] | 1153 |
| 556 | wafer bias [1] | 1160 |
| 555 | Group Delay 문의드립니다. [1] | 1161 |
| 554 | 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [1] | 1161 |
| 553 | 공정플라즈마 [1] | 1170 |
| 552 | 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] | 1172 |
| 551 | 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] | 1173 |
| 550 | 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] | 1176 |
| 549 |
전자 온도 구하기
[1]  | 1178 |
| 548 | MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] | 1178 |
| 547 | 대학원 진학 질문 있습니다. [2] | 1182 |
흥미로운 질문입니다.
1번 질문에 답변 자료가 process-others-17번 [re] H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문에 대한 답변 드립니다. 내용을 참고하시면 도움이 될 것 같습니다.
2-3번 질문은 세정기에서 생산된 F과 세정후 공정에 영향이 확인될 경우, 첫장효과 같은 이슈가 세정기로 부터 야기되었는가? 아니면 공정 셋팅의 능력 문제인가 하는 충돌이 발생하게 될 것 같습니다. 분명한 것은 F 생성량이 많을 수록 세정기 성능은 좋습니다. F은 플라즈마 전자와의 충돌로 발생하므로, 플라즈마 밀도가 높을 수록 즉 power coupling 효율이 좋을 수록 고밀도의 F 라디컬을 만들 확률이 높아지고 세정 능력이 커집니다.
하지만 F는 세정효력이 좋으므로 잔존하고 있으면, 대부분 벽면 재료와 반응해서 붙어 있게 되는 경우가 많고 잘 떨어지기 힘든데, F이 공간에 존재하면 이는 세정(식각)을 하게 되므로 박막 진행에는 방해 요소가 될 수 밖에 없습니다. 또한 식각 공정을 조금이라도 증진시킬 요소가 됩니다. 여기서 세정 이후 대부분 불화가스들은 재료 및 벽면에 잔준할 확률이 많아, 공정장치 구조 및 벽면 재료와 상태및 타킷 공정과 매우 긴밀한 관계를 갖게 됩니다. 따라서 서로 관리할 영역이 다를 것입니다. 여기서 기준을 제공할 수 있는 방법은 RPG에서 얼마나 F 라디컬이 많이 생성되어 공급되었는가와 후속 공정 전에 벽면의 불화도에 대한 정보를 갖고 공정을 진행해야 하는 2가지 데이터가
필요할 것 같습니다.
추천하건대, 라디컬 측정 방법을 잘 찾으셔서 RPG의 성능과 후속 공정 장비 (상태)에서 벽면 불화도 변화 과정의 데이터를 확보하는 하면 독자적인 세정 기술을 확보할 수가 있겠고, 기술 영역을 구획할 수가 있을 것 같습니다.