안녕하세요. 플라즈마 장비를 다루면서 당연시 생각했던건데 이유를 생각해보면 

막상 안떠오를때가 있습니다. 그래서 몇가지 질문드리려고요.

1.같은 메이커 같은 모델의  장비를 쓸때에도 depo rate, etch rate가 제각기 다른데

이런이유를 어떻게 설명해야될까요..

2.하루종일 장비를 안쓰면 etch rate가 달라지는데 leak가 있어서 진공이 달라진것도

아닌데 왜 이런현상이 일어날까요? 이런 현상때문에 일부러 dummy wafer를 칠때가

있습니다.

3.chamber를 open한 직후와 많이 양산이 돌아간 상태에서 마찬가지로 rate가 달라지는데

이유가 있을까요?

4.chamber 벽 표면의 물질이 달라지면 플라즈마의 특성, 쉬스 이런것들이 달라지나요?

(Sputter 장비에서 shield의 부산물 포획특성을 위해 coating의 물질을 바꾸는 경우가 있어

문의드립니다)

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] 76888
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20285
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57204
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68758
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92716
519 ECR 플라즈마에 대해서 질문 드립니다. [1] 2265
518 Plasma Dechuck Process가 궁금합니다. 17694
517 HEATER 교체 이후 SELF BIAS 상승관련 문의 [1] 1077
516 Vpp, Vdc 측정관련 문의 [1] 3720
» 간단한 질문 몇개드립니다. [1] 590
514 matcher에서 load,tune의 역할이 궁금합니다. [1] 10464
513 Si Wafer에 Plasma를 처리했을때 정전기 발생 [1] 811
512 Hollow Cathode glow Discharge 실험 관련해서 여쭤보고싶습니다. [1] file 773
511 에쳐장비HF/LF 그라운드 관련 [1] 19787
510 매쳐 출력값 검토 부탁 드립니다. [1] 848
509 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 3659
508 진학으로 고민이 있습니다. [2] 1040
507 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] 1248
506 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 3015
505 전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [1] 548
504 ICP reflecot power 관련 질문드립니다. [1] 1627
503 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 1986
502 Arcing(아킹) 현상 및 local plasma 관련 문의 [1] 11497
501 Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [1] 2367
500 공정플라즈마 [1] 1160

Boards


XE Login