안녕하세요. 반도체 장비부품쪽 업종에서 일을 하고 있습니다.


현재 Etch 장비를 Coating 후 1Cycle을 사용한 후 Particle Issue가 일어나 중간에 세정을 진행하여 장착하면 E/R값이 상승합니다.


E/R값을 잡기 위해서 세정후에 Coating면에 Plasma를 조사하면 어떨까 하는데 효과가 있을지가 궁금하고 E/R값이 전반적으로 어떤 것에 영향이 미치는지 궁금합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [294] 77392
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20528
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57465
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68990
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93019
» 알고싶습니다 [1] 1498
492 charge effect에 대해 [2] 1531
491 N2 / N2O Gas 사용시 Plamsa 차이점 [1] 1533
490 ICP lower power 와 RF bias [1] 1540
489 데포 중 RF VDC DROP 현상 [1] 1548
488 PECVD와 RIE의 경계에 대해 [1] 1550
487 연속 plasma 방전시 RF power drop 및 Reflect 발생 [1] 1562
486 PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 1571
485 glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] 1574
484 O2 플라즈마 클리닝 관련 질문 [1] 1582
483 IMPEDANCE MATCHING PATH에서 S/H ~ MATCHER 간 전력전송 방법들에 대해 문의드립니다. [2] 1596
482 Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] 1600
481 plasma 형성 관계 [1] 1615
480 Matcher 구성에 따른 챔버 임피던스 영향에 대해 문의드립니다. [1] 1629
479 전극에 따른 힘의 크기 질문드립니다. [1] file 1630
478 CCP에서 전자밀도증가 -> 임피던스 감소 과정 질문있습니다. [3] 1647
477 ICP reflecot power 관련 질문드립니다. [1] 1673
476 Ar/O2 ICP 플라즈마 관하여 [1] 1695
475 안녕하세요 교수님. ICP관련하여 문의드립니다. [1] 1697
474 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 1717

Boards


XE Login