Process OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다.
2022.12.07 14:13
안녕하세요.
Etching과 Deposition을 같이 최근에 공부를 시작하고 있는 회사원입니다.
다름이 아니라,
최근 기사에서 LCD->OLED로 넘어가는 과정에서 OLED 특성상(유기발광체 때문??) SF6를 NF3로 대체가 어렵다는
내용의 기사를 봤습니다.
질문은
1. OLED에서 SF6는 어느공정(Etching / Chamber Cleaning / ??)에 주로 사용되나요?
2. SF6를 NF3로 대체할 수 있는 이유는 뭔가요?
3. CF4도 사용되는 것으로 아는데, 어느공정에 주로 사용되나요?
고수님들의 답변 부탁드립니다.
가지고 계신 문헌과 특허라도 알려주시면 크게 감사드립니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] | 76888 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20285 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57204 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68758 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92713 |
59 | 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. | 24619 |
58 | H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점... [1] | 24673 |
57 | plasma와 arc의 차이는? | 24762 |
56 | ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [1] | 24766 |
55 | RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [1] | 24779 |
54 | Reflrectance power가 너무 큽니다. [1] | 24891 |
53 | 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. | 24893 |
52 | PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [2] | 24991 |
51 | 스퍼터 DC 파워의 High 임피던스가 무슨 의미인가요? | 25587 |
50 | 충돌단면적에 관하여 [2] | 26186 |
49 | OES 원리에 대해 궁금합니다! [1] | 26206 |
48 | dechucking시 Discharge 불량으로 Glass 깨짐 [3] | 26215 |
47 | 공정챔버에서의 아킹 및 노이즈 문제... [2] | 26489 |
46 | self bias (rf 전압 강하) | 26747 |
45 | 이온과 라디칼의 농도 | 27022 |
44 | 플라즈마 챔버 의 임피던스 관련 [2] | 27219 |
43 | 플라즈마 상태와 RF MATCHING관계 문의 사항 | 27652 |
42 | DBD란 | 27756 |
41 | 플라즈마 온도 | 27811 |
40 | 탐침법 | 27870 |
먼저 성균대학교 염근영교수님의 역저, "플라즈마 식각기술"을 추천드립니다.