ESC HE LEAK 과 접촉저항사이 관계

2024.05.27 14:24

매쳐 조회 수:111

안녕하세요 교수님
우선 늘 감사드립니다.
본 게시판을 통해 배운 내용을 통해 개선에 큰 도움이 되었습니다.

 

이번에 질문드리고자 하는내용은 'HE LEAK 에 의해 접촉저항이 어떻게 변할지' 입니다. 

 

ICP TYPE의 설비에서 HE LEAK이 발생하면 temp 상승이 일어나고, 항상 ESC current 가 상승하는 방향으로 변화합니다.(절댓값 상승 후 일정하게 유지) Chucking voltage 는 일정하게 유지되고 있으므로 Current 변화는 접촉저항과 관계가 있어 보이는데, 

여기서 이해가 안가는 부분은 He leak 이 있다면 왜 접촉저항이 낮아지는지 물리적으로 이해가 되지 않습니다.

접촉면적이 늘어난다는 것 일텐데, chucking force 가 강해지는 것 일까요? 

의견 여쭙습니다.

감사합니다.

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [284] 77282
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20485
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57401
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68929
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92985
28 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] 145
27 진공 챔버에서 Plasma Off시 Particle의 wafer 표면 충돌 속도 [1] 144
26 새삼스럽지만 챔버 내에 전류의 정의를 여쭤보고싶습니다. [1] 141
25 RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] 140
24 Si 와 SiO의 선택적 식각 관련 문의입니다. 133
23 RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] 129
22 Showerhead와 Heater간 간격에 따른 RPC 효율성 [1] 127
21 플라즈마 설비에 대한 질문 121
» HE LEAK 과 접촉저항사이 관계 [1] 111
19 RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] 103
18 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [1] 95
17 ICP Plasma etch chamber 구조가 궁금합니다. [1] 92
16 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 92
15 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] 90
14 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] 89
13 PECVD 실험을 하려고 하는데 조언 구합니다. 82
12 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] 82
11 CVD 박막 Clean 중 Ar에 의한 Etch 여부가 궁금합니다. [1] 72
10 스터퍼링시 기판 온도 계산에 대해 질문드립니다! [1] 68
9 플라즈마 식각 커스핑 식각량 64

Boards


XE Login