안녕하세요, 플라즈마 식각 관련 연구를 수행 중인 석사과정 대학원생입니다.

 

플라즈마 식각에서 폴리머 증착 및 분해를 통해 비등방성 식각을 수행할 수 있다고 이해하고 있습니다.

그러나 식각 과정 중 설비 내에 부산물, 즉 폴리머가 웨이퍼, ESC, 링 사이에 축적되어 아킹(arcing)이 발생하고,

이로 인해 웨이퍼 및 설비에 손상을 입히게 된다는 것을 알게 되었습니다.

 

이와 관련하여, 부산물인 폴리머가 어떤 메커니즘으로 분해가 일어나며,

폴리머가 축적되는 이유가 어떤 건지 여쭙습니다.

 

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [321] 86458
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 22670
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 59375
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 71134
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 98379
828 III-V 반도체 에칭 공정 문의 [1] 136
827 CCP 장비 하부 전극 dc 펄스 전력 [1] 93
826 DC Arc Plasma Torch 관련 문의 [1] 77
825 Wafer 영역별 E/R 차이에 대한 질문 [Gas flow system vs E/R] [1] 129
824 동일한 RF방전챔버에서 화학종별 이온화율에 대한 질문 [1] 66
823 ESC 사용 공정에서 Dummy Wafer Chuck Force 에 대해서 궁급합니다 [1] 317
822 liquid plasma 공부 방향에 대해서 알고싶습니다. [1] 212
821 ICP 장비 TCP Reflect 발생 간 조언 부탁드립니다. [1] 274
820 RF플라즈마에서 quasineutral에 대해 궁금한게 있어 질문글 올립니다.[quasineutral] [1] file 409
819 챔버의 Plasma density 확인방법 문의드립니다. [플라즈마 모니터링, OES, LP] [1] 494
818 ICP/CCP 플라즈마 식각 공정 개발 [Plasma sheath 및 Plasma generation] [1] 562
817 HF PLASMA DEPOSITION 시 POWER에 따른 DEP RATE 변화 [장비 플라즈마, Rate constant] [1] 321
816 인가전압과 ESC의 관계 질문 [Floating sheath] [1] 380
815 Dielectric Etcher(CCP)에서 사용하는 주파수 [Plasma frequency 및 RF sheath] [2] 395
814 ICP에서 biasing 질문 [RF sheath와 self bias] [1] 411
813 가스 조성 및 온도에 따른 식각률 관련 질문입니다. [Arrhenius equation 이해] [1] 298
812 RF sputtering reflect power에 대해서 질문 남깁니다. 214
811 ExB drift 식 유도 과정에서의 질문 [삼각함수의 위상각] [1] 205
810 Debey Length에 대해 문의 드립니다. [플라즈마 정의와 Deybe length] [1] 312
» 플라즈마 식각 공정 중 폴리머의 거동 [재료 표면 반응] [1] 4472

Boards


XE Login