플라즈마 공부를 막 시작한 사회 초년생입니다
high votage를 가하면 충돌 단면적이 작아지고 mean free path가 커지는 이유가
궁금합니다.
이온화가 일어날 최대 확률(충돌 단면적)이 100ev에서 발생하는데
그 이상에선 감소하는데 그 이유를 알고싶습니다
댓글 1
-
관리자
2004.11.20 11:16
이 모두 속도와 관련이 있다고 볼 수 있습니다. high voltage나 에너지가 놓아질수록 속도가 높아집니다. 속도가 높아지면 hard sphere가 아닌 이상 polarization effect등으로 충돌 단면적이 작아지고(속도가 느리면 전단지 뿌리는 사람의 전단지를 받지만 속도가 빠르면 옆에 전단지 주는 사람을 그냥 지나치는 경우가 같다고 볼수 있겠네요) 충돌할 확률이 작아지니 더 멀리 가게 되서 mean free path가 커지게 됩니다. 이온화가 일어날 최대 확률도 높은 에너지를 가진 입자들이 속도가 높기 때문에 같은 이치로 감소하게 됩니다. 좀더 아시고 싶으시면 Michael A. Lieberman "Principles of plasma discharges and materials processing"의 앞쪽 부분을 참조하세요
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [280] | 77156 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20437 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57340 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68884 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92910 |
198 | 3-body recombination 관련 문의드립니다. [2] | 982 |
197 | 아래 382 번 질문에 대한 추가 질문 드립니다. [1] | 1007 |
196 | 전자 온도에 대한 질문이 있습니다. [1] | 1021 |
195 | 플라즈마 코팅 [1] | 1044 |
194 | 진학으로 고민이 있습니다. [2] | 1047 |
193 | DC Plasma 전자 방출 메커니즘 | 1053 |
192 | Decoupled Plasma 관련 질문입니다. [1] | 1065 |
191 | 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] | 1109 |
190 | 자기 거울에 관하여 | 1147 |
189 | 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] | 1148 |
188 | wafer bias [1] | 1150 |
187 | 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] | 1154 |
186 | Group Delay 문의드립니다. [1] | 1156 |
185 | MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] | 1164 |
184 | 전자 온도 구하기 [1] | 1166 |
183 | 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] | 1169 |
182 | 플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다. [2] | 1250 |
181 | 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] | 1263 |
180 | RF Power 인가 시 Gas Ramping Flow 이유 [1] | 1280 |
179 | 플라즈마 기초입니다 [1] | 1298 |