Sheath self bias

2004.06.19 16:59

관리자 조회 수:19499 추천:265

self bias에 대해서 정확히 알고 계십니다. Matching network에 직렬C 가 있음으로 M/N을 사용할 때 Blocking C는 필요없게 됩니다.
아울러 Insulator를 Electrode위에 놓은 상태라면 이 Insulator가 C 역할을 하게 됨으로 이때도  Blocking C가 없어도 self bias가 형성됩니다. 또한 대부분의 반응기에 전극들의 면적비가 상당합니다. 이유는 반응용기 자체를 접지 전극으로 생각학 수 있기 때문입니다.
이점 참고하시기 바랍니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] 77067
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20384
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57293
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68839
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92842
58 안녕하세요. 플라즈마 기체분자종에 따른 기판charing정도차이 문의 [1] 693
57 RF magnetron sputtering시 플라즈마 off현상 [1] 691
56 플라즈마를 알기 위해선 어떤 과목을 공부해야 할까요? [1] 681
55 plasma 공정 중 색변화 [1] 663
54 Arcing 과 Self-DC Bias Voltage 상관 관계 [1] 610
53 Plasma Reflect를 관리하는 방법이 있을까요? [1] 606
52 프리쉬스에 관한 질문입니다. [1] 603
51 Co-relation between RF Forward power and Vpp [1] 601
50 수중 속 저온 플라즈마 방전 관련 질문 드립니다 [2] file 599
49 간단한 질문 몇개드립니다. [1] 591
48 Frequnecy에 따라 플라즈마 영역이 달라질까요? [1] 570
47 전쉬스에 대한 간단한 질문 [1] 554
46 self bias [1] 548
45 안녕하세요. 자문을 구할 수 있을지 궁금합니다. [1] file 524
44 Sheath와 Plasma Bulk에 걸리는 전압 관련 문의 [1] 509
43 산소 플라즈마에 대한 질문입니다... 497
42 자외선 세기와 결합에너지에 대해 질문드립니다. [1] 493
41 플라즈마 세정처리한 PCB, Lead Frame 재활용 방법 [1] 492
40 안녕하세요, RPS나 DEPOSITION간에 발생하는 ELECTRON TEMPERATURE가 궁금합니다. [1] 492
39 (PAP)plasma absorption probe관련 질문 [1] 485

Boards


XE Login