Hello,

I am working on a ALD (Atomic layer deposition) product wherein we are processing multiple wafers in the single reactor. 

When we supply RF power to one of the reactor (i.e. REACTOR 1), the other reactor (REACTOR 2) beside reactor 1 is showing high Vpp value. We are not supplying RF power to reactor 2. (Please note reactor 1 & reactor 2 share the gas flow volume and are not fully isolated)
Why would this be happening ? 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [282] 77193
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20457
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57356
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68897
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92938
238 플라즈마 진단 공부중 질문 [1] 712
237 플라즈마 세정처리한 PCB, Lead Frame 재활용 방법 [1] 498
» Co-relation between RF Forward power and Vpp [1] 605
235 MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] 1171
234 Bias 관련 질문 드립니다. [1] 3492
233 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] 4872
232 RF 전압과 압력의 영향? [1] 1709
231 Plasma Cleaning 관련 문의 [1] 1385
230 standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [1] 1695
229 안녕하세요 DBD 플라즈마 소독 관련질문입니다. [1] 453
228 ICP와 CCP는 단순히 플라즈마를 생서하는 방법인가요? [1] 8781
227 CVD 막질의 성질에 대해 질문드립니다. [1] 1368
226 전자 온도에 대한 질문이 있습니다. [1] 1026
225 데포 중 RF VDC DROP 현상 [1] 1544
224 플라즈마를 통한 정전기 제거관련. [1] 735
223 CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [1] 2036
222 LF Power에의한 Ion Bombardment [2] 2136
221 전자 온도 구하기 [1] file 1175
220 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] 327
219 CVD 공정에서의 self bias [1] 3203

Boards


XE Login