플라즈마 쉬스
플라즈마에서 생기는 쉬스(외장)이 전위차는 플라즈마 경계에서 생깁니다. 따라서 질문하신 내용, 즉 식각 플라즈마 내에서 wafer
stage 위의 wafer가 직접 플라즈마와 만나고 있음으로 이때 쉬스 전위는 wafer와 플라즈마 사이에 형성되는 것입니다. 물론, 만일
wafer를 제거하게 되면 당연히 stage표면과 플라즈마가 만나니 이 두 경계면에서 쉬스가 형성되겠지요. 아울러 stage위에 wafer와
같은 부도체 물체가 놓여 있는 경우 wafer표면에는 self bias에 의해서 전위가 낮아지게 됩니다. (도체에서는 이 같은 현상이 생
기지 않습니다.) 따라서 플라즈마는 wafer 표면의 전위를 자신의 경계면 전위로 생각하고 그 겨예 영역에서 쉬스가 형성됩니다.
질문자의 경우와 같은 식각 플라즈마에서 wafer bias를 인가하여 etching을 하는 경우 이 두가지, self bias와 sheath를 함께 생각
해야 합니다.
댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] | 77128 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20418 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57329 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68867 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92889 |
258 | 플라즈마 밀도와 라디칼 [1] | 326 |
257 | RF sputter 증착 문제 질문드립니다. [1] | 332 |
256 | Massbalance equation 에서 P(t) 유도과정 | 342 |
255 | plasma off시 일어나는 현상 문의드립니다 [1] | 372 |
254 | 입자에너지에따른 궤도전자와 핵의 에너지loss rate | 377 |
253 | plasma modeling 관련 질문 [1] | 391 |
252 | 염소발생 전기분해 시 스파크 발생에 관해 질문드립니다. [1] | 394 |
251 | standing wave effect, skin effect 원리 [1] | 418 |
250 | VPS 공정에서 압력변수관련 질문입니다. [1] | 429 |
249 | 플라즈마 공정 후, 친수성으로 변한 표면의 친수성 제거 [1] | 429 |
248 | 크룩수의 음극선도 플라즈마의 현상인가요? [1] | 444 |
247 | 안녕하세요 DBD 플라즈마 소독 관련질문입니다. [1] | 451 |
246 | glass에 air plasma 후 반응에 대해 질문이 있습니다. [1] | 452 |
245 | KM 모델의 해석에 관한 질문 [1] | 453 |
244 | ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] | 455 |
243 | 스퍼터링 Dep. 두께 감소 관련 문의사항 [1] | 465 |
242 | Fluoride 스퍼터링 시 안전과 관련되어 질문 [1] | 468 |
241 | 코로나 방전 처리 장비 문의드립니다. [1] | 473 |
240 | (PAP)plasma absorption probe관련 질문 [1] | 486 |
239 | 자외선 세기와 결합에너지에 대해 질문드립니다. [1] | 494 |