Others 플라즈마를 통한 정전기 제거관련.
2021.07.09 14:56
안녕하세요. 반도체 관련 엔지니어로 근무하고 있는 직장인입니다.
현재 공정이 완료된 텅스텐 재료에 대기압 플라즈마를 가하여 정전기 제거를 하고있습니다.
Ar gas를 이용하였으며 정전기 측정장비로 제거 되는 것 까지는 확인 되었습니다.
추가로 여쭤보고 싶은 부분이 정전기 제거 후에도 반영구적으로 정전기가 발생하지 않는 것도 확인이 되는데요.
이 부분에 대해서는 관련 자료를 찾아보아도 나오는 부분이 거의 없어서요.
O, N 라디칼들이 계면에서 어떠한 에너지 반응을 일으키는 건지. 텅스텐 표면에 어떤 결합에너지에 영향을 주는 것인지 궁금하네요.
플라즈마를 통하여 정전기 방지가 유지되는 것이 어떠한 Process로 진행될 수 있는지 궁금합니다.
고견 여쭙겠습니다. 감사합니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [280] | 77134 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20421 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57332 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68870 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92894 |
238 | 플라즈마 진단 공부중 질문 [1] | 708 |
237 | 플라즈마 세정처리한 PCB, Lead Frame 재활용 방법 [1] | 494 |
236 | Co-relation between RF Forward power and Vpp [1] | 602 |
235 | MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] | 1159 |
234 | Bias 관련 질문 드립니다. [1] | 3477 |
233 | Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] | 4863 |
232 | RF 전압과 압력의 영향? [1] | 1700 |
231 | Plasma Cleaning 관련 문의 [1] | 1377 |
230 | standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [1] | 1671 |
229 | 안녕하세요 DBD 플라즈마 소독 관련질문입니다. [1] | 451 |
228 | ICP와 CCP는 단순히 플라즈마를 생서하는 방법인가요? [1] | 8762 |
227 | CVD 막질의 성질에 대해 질문드립니다. [1] | 1362 |
226 | 전자 온도에 대한 질문이 있습니다. [1] | 1020 |
225 | 데포 중 RF VDC DROP 현상 [1] | 1542 |
» | 플라즈마를 통한 정전기 제거관련. [1] | 733 |
223 | CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [1] | 2028 |
222 | LF Power에의한 Ion Bombardment [2] | 2116 |
221 | 전자 온도 구하기 [1] | 1164 |
220 | 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] | 326 |
219 | CVD 공정에서의 self bias [1] | 3188 |
플라즈마에서 가속 이온이 제공되고, 이로 인해 dangling bond 들이 많아지는 것을 가정해 볼 수 있겠습니다. 동시에 전자들도 입사되므로, 각 bond에 전하가 붙게 되고, 또한 radical 들도 결합이 되게 될 것입니다. 주로 산소와 질소 라디컬들이 잘 결합하겠습니다. 하지만
각 반응의 상수와 결합 과정 및 그 결합이 얼마나 강력한가, 즉 후속 반응이 존재하는 경우 잘 견딜 것인가에 대해서는 잘 이해하지 못합니다. 표면 과학을 전공하시는 분이 답을 주실 수 있을 것 같습니다. 다만, 플라즈마 분위기에서 표면으로 전달되는 항목으로는
전자, 이온 (질량과 에너지), 화학 반응(라디컬) 과 UV가 동시에 제공됨을 참고하시고, 표면 반응 자료를 찾아 보시기를 추천합니다.