CCP Wafer Warpage에 따른 CCP Type Chamber 내부 Impedance
2020.04.06 11:29
안녕하세요,
반도체 회사에서 CVD 장비 업무를 맡고 있는 이윤재입니다.
업무 중 CCP Type Chamber에 Warpage 심화 Wafer가 투입되었을 때,
Impedance I 가 Drop 되는 현상이 있었습니다.
이 때 이 원인을 파악하려고 하는데, 논문이나 과거 자료를 봐도 나오지가 않아서
질문을 드립니다..
Q. Warpage 심화 Wafer가 상대적으로 Flat한 Wafer 보다 Impedance Drop이 되는 원인은,
Edge 쪽 ( Wafer와 Heater가 Contact 되지 않음) 이 문제가 되는 것으로 추정되는데
정확한 원인이 무엇인지 궁금합니다.
감사합니다.
댓글 1
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [282] | 77208 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20465 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57361 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68900 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92946 |
| 85 | 안녕하세요 교수님. ICP관련하여 문의드립니다. [1] | 1691 |
| 84 | ICP와 CCP에서의 Breakendown voltage [1] | 1788 |
| 83 | N2 Blowing Ionizer 사용 시 궁금점 질문 드립니다. [1] | 1836 |
| 82 | 가입인사드립니다. [1] | 1881 |
| 81 | 유도결합 플라즈마 소스 질문!!!? [2] | 1915 |
| 80 | RF generator 관련 문의드립니다 [3] | 1974 |
| 79 | Remote Plasma 가 가능한 이온 [1] | 1992 |
| 78 | 안녕하세요 ICP dry etching 관련 질문사항드립니다! [1] | 2001 |
| 77 | RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [2] | 2058 |
| 76 | ECR 플라즈마에 대해서 질문 드립니다. [1] | 2291 |
| 75 | CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [1] | 2330 |
| 74 | 교수님 안녕하세요, icp 관련 질문이 있습니다. [2] | 2367 |
| 73 | Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [1] | 2403 |
| 72 | RF 주파수와 공정 Chamber 크기의 상관관계 [1] | 2403 |
| 71 | RPS를 이용한 SIO2 에칭 [1] | 2426 |
| 70 | 안녕하세요. 교수님 ICP관련하여 문의드립니다. [2] | 2507 |
| 69 | 수소 플라즈마 관련해서 질문이 있습니다. [3] | 2689 |
| 68 | 플라즈마 밀도 관련 문의 드립니다. [1] | 2707 |
| 67 | 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [1] | 3033 |
| 66 | PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [1] | 3346 |